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STMによるGe(001)表面の構造遷移と電子状態の研究

STM研究Ge(001)表面的结构转变和电子态

基本信息

批准号：
08J05000
负责人：
富松宏太
金额：
$ 0.38万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08J05000/
关键词：
Ge Si STM 表面科学

项目摘要

Ge(001)表面にIV族元素X蒸着すると、XとGeからなる二量体(X-Geダイマー)が表面に形成される。平成19年度までの研究で、走査トンネル顕微鏡(STM)探針からのキャリア(電子・正孔)注入により、Sn-Geダイマーの表面からの傾斜を反転できることを明らかにした。さらに、STMで電子定在波を測定することにより、Sn-Geダイマーによる表面一次元電子の散乱を明らかにした。当該年度は、(i)X-Geダイマーの散乱ポデンシャルの形成機構と(ii)キャリアによるダイマー傾斜の反転機構を解明する目的で、Si-Geダイマーを作成し、Sn-Geダイマーの結果との比較を行った。実際にSi-Geダイマーは作成可能であり、これらのダイマー傾斜もSTMで反転できる。我々は、電子定在波をSTM測定し、電子伝導経路にX元素が位置するダイマー傾斜において、Si-GeダイマーとSn-Geダイマーが逆符号(引力または斥力)の散乱ポテンシャルを形成することを示した。さらに、清華大学(北京)の理論グループとの協同研究により測定結果を理論検証し、散乱ポテンシャルは伝導経路にある元素の原子軌道エネルギーから説明されることを見出した。これらの研究成果は、学術誌(Physical Review B誌)および国内外の学術会議で論文発表した。国際会議(ISSS5)において招待講演発表も行った。また、我々は、Si-Geダイマー・Sn-Geダイマーの傾斜反転に必要な電子エネルギーをSTMで精密測定した。上述の清華大学の理論グループと協同して、測定した電子エネルギーは表面周期欠陥の局在電子状態によって特徴付けられていることを示した。これらの実験・理論結果に基づき、ダイマーの傾斜反転は、「共鳴散乱」と呼ばれる電子の非弾性散乱過程により誘起されていることを解明した。一連の研究成果は、学術誌(Surface Science誌)で論文発表を行った。

Ge(001) surface IV element X vapor, X Ge In 2019, we conducted research and investigation on micro-mirror (STM) probes, such as electron and positive hole injection, Sn-Ge micro-probe and surface tilt. For example, when the STM electron is stationary, the surface electron is scattered. For this year,(i) the formation mechanism of X-Ge particles and (ii) the formation mechanism of Si-Ge particles and the comparison of the results of Sn-Ge particles are carried out. In fact, the Si-Ge film is very popular. I am determined by the electron beam, and the electron beam is determined by the electron beam. The electron beam is determined by the electron beam, and the electron beam is determined by the electron beam. The results of the collaborative research on the theory of atomic orbitals in Tsinghua University (Beijing) are presented in this paper. The results of this research are published in Physical Review B and in academic conferences at home and abroad. The International Conference (ISSS5) was held in Beijing. Si-Ge alloy is used for precise measurement of electron emission. The above theory of Tsinghua University is based on the theory of electron evolution and the theory of electron evolution The theoretical results show that the resonance scattering is induced by the electron scattering. A series of research results and academic journals (Surface Science Journal) were published.