Steric control of molecular beam induced surface reactions and its ultra-high speed and high energy resolution photoemission spectroscopic analysis

分子束诱导表面反应的空间控制及其超高速高能量分辨率光电子能谱分析

• 批准号: 20360024
• 负责人: TERAOKA Yuden
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20360024/
• 关键词: 放射光; 表面反応; 分子ビーム; 光電子分光; 軟X線放射光; 放射光光電子分光; 超音速分子ビーム; 高速原子分子ビーム; アルミニウム; シリコン; 窒化; 酸化

A continuous expansion type supersonic molecular beam source and related devices were fabricated to overwhelm insufficient beam flux density. Ion current of a high speed atomic and molecular (ion) beam apparatus was enhanced by reconstruction of the plasma ion source. High speed measurements of photoemission spectra were improved by replacing a measurement system to new one which is corresponding to a 5 channels detector. Various kinds of surface reaction mechanisms of many molecular beam induced surface reactions were clarified by high speed photoemission spectroscopy using newly developed experimental devices.

研制了一种连续膨胀型超声速分子束源及相关器件，以克服光束通量密度不足的问题。通过对等离子体离子源的重建，增强了高速原子和分子（离子）束装置的离子电流。采用与5通道探测器相对应的新测量系统，改进了高速光发射光谱测量。利用新研制的实验装置，利用高速光谱学阐明了分子束诱导表面反应的各种表面反应机理。

项目成果

High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on initial oxidation of 4H-SiC(0001)-(√3x√3)R30° surface

4H-SiC(0001)-(√3x√3)R30°表面初始氧化的高分辨率X射线光电子能谱研究

• 发表时间: 2009
• 期刊: Surf. Sci. Vol.603
• 作者: S. Takahashi;S. Hatta;A. Yoshigoe;Y. Teraoka;T. Aruga
• 通讯作者: T. Aruga

光電子分光と基板曲率測定によるSi(110)初期酸化過程の評価

使用光电子能谱和基底曲率测量评估 Si(110) 的初始氧化过程

• 发表时间: 2009
• 作者: Soichiro Sekine;Hirokazu Kaji;Takashi Abe and Matsuhiko Nishizawa;山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴,寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也
• 通讯作者: 山本喜久,鈴木康,宮本優,ローランド・バンタクロー,末光眞希,遠田義晴,寺岡有殿,吉越章隆,朝岡秀人,山崎竜也

水素貯蔵合金VCrTiおよびTiFeにおける表面熱変性と水素脱離温度特性

VCrTi和TiFe储氢合金的表面热改性和放氢温度特性

• 发表时间: 2011
• 作者: 矢治光一郎;その他;戸出真由美
• 通讯作者: 戸出真由美

TiA1表面酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究

同步辐射光电子能谱研究 TiA1 表面氧化

• 发表时间: 2010
• 期刊: 電気学会論文誌C 130
• 作者: 橋之口道宏;角本雄一;戸出真由美;James Harries;岡田美智雄;寺岡有殿;笠井俊夫
• 通讯作者: 笠井俊夫

In-situ STM observation after exposing Si(111)-7x7 surface to supersonic O_2 beam at 300 K

Si(111)-7x7表面暴露于300 K超音速O_2束后的原位STM观察

• 发表时间: 2010
• 作者: A.Yoshigoe;Y.Teraoka
• 通讯作者: Y.Teraoka