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Interaction between Bubble and Substrate by In-Liquid Plasma CVD Process
液内等离子体 CVD 工艺中气泡与基材之间的相互作用
基本信息
- 批准号：20360335
- 负责人：
- 金额：$ 10.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The film formation mechanism of in-liquid plasma CVD method is clarified by analyzing the high-speed camera photographs of the bubbles surrounding in-liquid plasma The experimental condition for the uniform film formation is shown. The control method of the chemical reaction for synthesizing a compound semiconductor like diamond, silicon carbide and aluminum nitride is proved. The chemical reaction between the atom that has the highest electronegativity and the atom that has the lowest ionization energy occurs with first priority.
通过对高速摄影照片的分析，阐明了液相等离子体CVD法的成膜机理，给出了均匀成膜的实验条件。证明了合成金刚石、碳化硅、氮化铝等化合物半导体的化学反应控制方法。具有最高电负性的原子和具有最低电离能的原子之间的化学反应优先发生。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
A comparison of diamond growth rate using in-liquid and conventional plasma chemical vapor deposition methods
使用液体内和传统等离子体化学气相沉积方法的金刚石生长速率的比较
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshiyuki Takahashi;Hiromichi Toyota;Shinfuku Nomura;Shinobu Mukasa;Toru Inoue
- 通讯作者：Toru Inoue
液中プラズマ化学蒸着におけるプラズマ泡と基板の相互作用
液体等离子体化学气相沉积中等离子体气泡与基底之间的相互作用
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：豊田洋通;飯坂康介;野村信福;向笠忍;服部吉晃
- 通讯作者：服部吉晃
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Synthesis of diamond film by in-liquid plasma CVD
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- 批准号：
23360326 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 10.48万 - 项目类别：
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