Study on crystalline growth of phase transition oxide and electric field-induced switching phenomena

相变氧化物晶体生长及电场诱导开关现象的研究

• 批准号: 20560016
• 负责人: OKIMURA Kunio
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Tokai University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560016/
• 关键词: 結晶成長; 機能性酸化物; バナジウム酸化膜; スパッタ成膜法; 相共存; スイッチングデバイス; 相転移; 酸化状態制御; エピタキシャル成長; ICP支援スパッタ成膜法; プラズマプロセス; メモリーデバイス

In this project, we fabricated planer-type switching device utilizing vanadium dioxide (VO_2) films with metal-insulator transition (MIT) and investigated electric-field induced switching phenomena. We showed fast switching with response time of around 100 ns under electric pulse addition. This phenomenon was considered to be responsible for strong electron correlation effect. The results will be of importance for realizing next generation switching device utilizing phase transition oxide materials.

在本计画中，我们利用具有金属-绝缘体转变（MIT）的二氧化钒（VO_2）薄膜制作平面型开关元件，并研究电场感生开关现象。我们发现，在电脉冲下，响应时间约为100 ns的快速开关。这种现象被认为是强电子关联效应的原因。研究结果对实现下一代相变氧化物开关器件具有重要意义。

项目成果

反応性スパッタ法による相転移V2O3薄膜のサファイア基板上へのエピタキシャル成長

反应溅射法在蓝宝石衬底上外延生长相变V2O3薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 斉藤博;中川俊一郎;大石正和;今井和明;沖村邦雄,鈴木康史
• 通讯作者: 沖村邦雄,鈴木康史

サファイア基板上エピタキシャルV_2O_3薄膜成長とアニールによるVO_2への変態

蓝宝石衬底上外延生长V_2O_3薄膜并通过退火转变为VO_2

• 发表时间: 2010
• 作者: Dong Wang;H.Nakashima;M.Tanaka;T.Sadoh;M.Miyao;J.Morioka;T.Kitamura;沖村邦雄,鈴木亮太,鈴木康史
• 通讯作者: 沖村邦雄,鈴木亮太,鈴木康史

Changes in Lattice Parameters of VO_2 Films Grown on c-Al_2O_3 Sub-strate across Metal-Insulator Transition

c-Al_2O_3衬底上生长的VO_2薄膜在金属-绝缘体转变过程中晶格参数的变化

• 发表时间: 2009
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics Vol.48
• 作者: K.Okimura;J.Sakai
• 通讯作者: J.Sakai

Effect of Annealing with Ar Plasma Irradiation for Transparent Conductive Nb-Doped TiO2 Films on Glass Substrate

• DOI: 10.1143/jjap.48.08hk06
• 发表时间: 2009-08
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Mika Hojo;K. Okimura

ICP支援スパッタ法により堆積したVO_2薄膜の電界誘起相転移(II)

ICP辅助溅射法沉积VO_2薄膜的电场诱导相变（二）

• 发表时间: 2008
• 作者: Y.Ichinohe;K.Kyoh;K.Honma;T.Sawada;K.Suzuki;No.Kimura;Na.Kimura;K.Imai;ヌルルエズリナ,笹川裕介,沖村邦雄
• 通讯作者: ヌルルエズリナ,笹川裕介,沖村邦雄