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Study on crystalline growth of phase transition oxide and electric field-induced switching phenomena

Study on crystalline growth of phase transition oxide and electric field-induced switching phenomena
相变氧化物晶体生长及电场诱导开关现象的研究
批准号：
20560016
负责人：
OKIMURA Kunio
金额：
$3.08万
依托单位：
Tokai University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560016/
关键词：
結晶成長機能性酸化物バナジウム酸化膜スパッタ成膜法相共存スイッチングデバイス相転移酸化状態制御エピタキシャル成長ICP支援スパッタ成膜法プラズマプロセスメモリーデバイス

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In this project, we fabricated planer-type switching device utilizing vanadium dioxide (VO_2) films with metal-insulator transition (MIT) and investigated electric-field induced switching phenomena. We showed fast switching with response time of around 100 ns under electric pulse addition. This phenomenon was considered to be responsible for strong electron correlation effect. The results will be of importance for realizing next generation switching device utilizing phase transition oxide materials.
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反応性スパッタ法による相転移V2O3薄膜のサファイア基板上へのエピタキシャル成長
反应溅射法在蓝宝石衬底上外延生长相变V2O3薄膜
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [斉藤博, 中川俊一郎, 大石正和, 今井和明, 沖村邦雄,鈴木康史]
通讯作者： 沖村邦雄,鈴木康史
サファイア基板上エピタキシャルV_2O_3薄膜成長とアニールによるVO_2への変態
蓝宝石衬底上外延生长V_2O_3薄膜并通过退火转变为VO_2
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [Dong Wang, H.Nakashima, M.Tanaka, T.Sadoh, M.Miyao, J.Morioka, T.Kitamura, 沖村邦雄,鈴木亮太,鈴木康史]
通讯作者： 沖村邦雄,鈴木亮太,鈴木康史
Changes in Lattice Parameters of VO_2 Films Grown on c-Al_2O_3 Sub-strate across Metal-Insulator Transition
c-Al_2O_3衬底上生长的VO_2薄膜在金属-绝缘体转变过程中晶格参数的变化
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Japanese Journal of Applied Physics Vol.48
影响因子： --
作者： [K.Okimura, J.Sakai]
通讯作者： J.Sakai
Effect of Annealing with Ar Plasma Irradiation for Transparent Conductive Nb-Doped TiO2 Films on Glass Substrate
DOI： 10.1143/jjap.48.08hk06
发表时间： 2009-08
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者： [Mika Hojo;K. Okimura]
通讯作者： Mika Hojo;K. Okimura
共 11 条
    Study on crystalline growth of phase transition oxides with various oxidation states and their electric transport characteristics
    • 批准号：
      23560013
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.41万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      OKIMURA Kunio
    • 依托单位：
      Tokai University
    Crystal with Metal-Insulator Transition by Plasma Processing Technique and Its Application to Switching Devices
    • 批准号：
      18540495
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.31万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      OKIMURA Kunio
    • 依托单位：
      Tokai University
    Study on the Epitaxial Growth of Oxide Films in Sputtering focusing on Negative Oxygen Ion Behavior
    • 批准号：
      16540454
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.24万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      OKIMURA Kunio
    • 依托单位：
      Tokai University
    海外基金