Mechanism of organic graphoepitaxy and application to the oriented thin film growth

有机石墨外延机理及其在定向薄膜生长中的应用

• 批准号: 20560020
• 负责人: IKEDA Susumu
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560020/
• 关键词: 有機半導体; グラフォエピタキシー; 結晶成長; 面内配向制御; 電子デバイス; セクシチオフェン; 分子動力学シミュレーション; 薄膜トランジスタ

Graphoepitaxy of organic molecules was investigated. Periodic microgrooves were fabricated on the substrate surface by electron beam lithography and organic semiconductor thin films were grown on the surface by vacuum deposition. In-plane oriented growth was observed. It was also found that the in-plane orientation can be changed by surface modification of the substrates ; this phenomenon is peculiar to organic systems and relates to the mechanism of organic graphoepitaxy.

研究了有机分子的图形外延生长。利用电子束光刻技术在衬底表面制作周期性的微沟槽，并利用真空沉积技术在其表面生长有机半导体薄膜。观察到面内取向生长。还发现，通过衬底的表面改性可以改变面内取向;这种现象是有机体系所特有的，并且与有机图形外延的机制有关。

项目成果

有機半導体分子のグラフォエピタキシー(R6-01)

有机半导体分子的图形外延（R6-01）

• 发表时间: 2009
• 作者: 池田進;和田恭雄;斉木幸一朗
• 通讯作者: 斉木幸一朗

有機半導体分子のグラフォエピタキシー

有机半导体分子的图形外延

• 发表时间: 2009
• 作者: 斉藤博;大石正和;今井和明;横山真美・石井晃;小池秀明,野中利倫,沖村邦雄;池田進・和田恭雄・斉木幸一朗
• 通讯作者: 池田進・和田恭雄・斉木幸一朗

Graphoepitaxy of organic semiconductor : a new approach for obtaining oriented thin films applicable to organic devices(招待講演)

有机半导体图形外延：一种获得适用于有机器件的取向薄膜的新方法（特邀报告）

• 发表时间: 2008
• 作者: 石井晃;横山真美;Susumu Ikeda
• 通讯作者: Susumu Ikeda

グラフォエピタキシーを利用した有機半導体薄膜の配向制御

使用图形外延控制有机半导体薄膜的取向

• 发表时间: 2010
• 期刊: NanotechJapan Bulletin
• 作者: 池田進;斉木幸一朗;和田恭雄
• 通讯作者: 和田恭雄

Control of orientation of thin films of organic semiconductors by graphoepitaxy

通过图形外延控制有机半导体薄膜的取向

• 发表时间: 2010
• 期刊: NanotechJapan Bulletin
• 作者: S.Ikeda;K.Saiki;Y.Wada
• 通讯作者: Y.Wada