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Electron Holography Observation of 2DEG at AlGaN/GaN on the working condition.

Electron Holography Observation of 2DEG at AlGaN/GaN on the working condition.
AlGaN/GaN 工作条件下 2DEG 的电子全息观测。
批准号：
20560028
负责人：
TAKEGUCHI Masaki
金额：
$2.91万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2010
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560028/
关键词：
電子線ホログラフィー窒化物半導体その場観察

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By making a Pt probe contact with AlGaN/GaN grown on sapphire C plane in a 3 feedthoughs bult-in sample holder, potential change of AlGaN/GaN due to applied bias voltage were observed by electron holography. We could produce the practical working condition of AlGaN/GaN devices in TEM, demonstrating that potential differences caused at the working conditions could be investigated by electron holography.
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Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF‐STEM
DOI： 10.1002/sia.2960
发表时间： 2008-12
期刊： Surface and Interface Analysis
影响因子： 1.7
作者： [H. Okuno;M. Takeguchi;K. Mitsuishi;Y. Irokawa;Y. Sakuma;K. Furuya]
通讯作者： H. Okuno;M. Takeguchi;K. Mitsuishi;Y. Irokawa;Y. Sakuma;K. Furuya
Periodic Supply of Indium as Surfactant for N-Polar InN Growth by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
通过等离子体辅助分子束外延定期供应铟作为 N 极 InN 生长的表面活性剂
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： Applied Physics Letters 95
影响因子： --
作者： [YZ.Yao, et al.]
通讯作者： et al.
Phase Separation Resulted from Mg-doping in p-InGaN film grown on GaN/sapphire template
GaN/蓝宝石模板上生长的 p-InGaN 薄膜中的 Mg 掺杂导致相分离
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： Applied Physics Express 3巻
影响因子： --
作者： [L.Sang, M.Takeguchi, W.Lee, T.Sekiguchi, L.Lozach, M.Sumiya]
通讯作者： M.Sumiya
HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures
AlInGaN/GaN 异质结构的 HAADF-STEM 和电子全息观察
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： AMTC Letters 1
影响因子： --
作者： [M. Takeguchi, H. Okuno, K. Mitsuishi, Y. Irokawa, Y. Sakuma, K. Furuya]
通讯作者： K. Furuya
Development of scanning phase measurement electron microscopy and its application to the potential observation in battery
  • 批准号：
    23560031
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $3.41万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    TAKEGUCHI Masaki
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
Fabrication of high coercivity magnetic nanostructures by electron beam induced deposition with dual metal-organic gases
  • 批准号：
    18510103
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.59万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    TAKEGUCHI Masaki
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
Electron microscopy analysis by visualization of relationship between composition distribution and charge distribution in quantum well of GaN system
  • 批准号：
    16560287
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    TAKEGUCHI Masaki
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
海外基金