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Electron Holography Observation of 2DEG at AlGaN/GaN on the working condition.
AlGaN/GaN 工作条件下 2DEG 的电子全息观测。
基本信息
- 批准号：20560028
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
By making a Pt probe contact with AlGaN/GaN grown on sapphire C plane in a 3 feedthoughs bult-in sample holder, potential change of AlGaN/GaN due to applied bias voltage were observed by electron holography. We could produce the practical working condition of AlGaN/GaN devices in TEM, demonstrating that potential differences caused at the working conditions could be investigated by electron holography.
在3个馈入式样品保持器中，将Pt探针与生长在蓝宝石C面上的AlGaN/GaN接触，用电子全息术观察了AlGaN/GaN在外加偏压下的电位变化。我们可以在TEM中产生AlGaN/GaN器件的实际工作条件，表明可以通过电子全息术来研究在工作条件下产生的电势差。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Local characterizations of quaternary AlInGaN/GaN heterostructures using TEM and HAADF‐STEM
- DOI：10.1002/sia.2960
- 发表时间：2008-12
- 期刊：
- 影响因子：1.7
- 作者：H. Okuno;M. Takeguchi;K. Mitsuishi;Y. Irokawa;Y. Sakuma;K. Furuya
- 通讯作者：H. Okuno;M. Takeguchi;K. Mitsuishi;Y. Irokawa;Y. Sakuma;K. Furuya
Periodic Supply of Indium as Surfactant for N-Polar InN Growth by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy
通过等离子体辅助分子束外延定期供应铟作为 N 极 InN 生长的表面活性剂
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：YZ.Yao;et al.
- 通讯作者：et al.
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- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：L.Sang;M.Takeguchi;W.Lee;T.Sekiguchi;L.Lozach;M.Sumiya
- 通讯作者：M.Sumiya
HAADF-STEM and electron holography observations of AlInGaN/GaN heterostructures
AlInGaN/GaN 异质结构的 HAADF-STEM 和电子全息观察
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Takeguchi;H. Okuno;K. Mitsuishi;Y. Irokawa;Y. Sakuma;K. Furuya
- 通讯作者：K. Furuya
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