Untersuchungen zum Zerfall metallorganischer Einkomponenten-Vorläufermoleküle mittels Matrix-Tieftemperatur-Isolation

使用基质低温隔离研究有机金属单组分前体分子的衰变

基本信息

  • 批准号:
    5373018
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Priority Programmes
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    1996-12-31 至 1999-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Ziel des vorliegenden Forschungsvorhabens ist die Isolierung und Charakterisierung von molekular gebauten Verbindungen, die bei der Zersetzung eines "single-source precursors" zum Gruppe III-Nitrid auftreten können. Intramolekular basenstabilisierte Azido-Verbindungen von Ga, Al und In können als EinkomponentenVorläufermoleküle zur Abscheidung von kristallinen Filmen des AlN, GaN und InN bei tiefen Temperaturen genutzt werden. Diese Azide und Modellverbindungen des Typs [Me2N(CH2)3]MX2 und [Me2N(CH2)3]2MX werden der Tieftemperatur-Matrix-Isolation unterworfen. Dabei stehen thermische Zersetzung und das Ausfrieren der entstandenen flüchtigen Produkte in Edelgasmatrizes im Vordergrund. Die Charakterisierung von Zersetzungsprodukten wird durch Kombination von IR-Spektroskopie mit ab-initio-Rechnungen erfolgen. Paralllel zu diesen Untersuchungen wird in einer Zusammenarbeit mit Prof. Dr. K. Kohse-Höinghaus und Dr. B. Atakan (Physikalische Chemie der Universität Bielefeld) ein baugleicher Thermolyseofen in ein Massenspektrometer integriert, so daß eine massenspektroskopische Analyse der Thermolyseprodukte möglich wird. Die Erkenntnisse aus diesem Forschungsvorhaben sollen zum Verständnis des MOCVD-Verfahrens von Gruppe III-Nitriden auf molekularer Ebene beitragen. Dies könnte wiederum zu Synthesen von optimierten Einkomponenten-Vorläufermolekülen und deren Anwendung führen.
Ziel des vorliegenden Forschungsvorhabens ist die issolierung and Charakterisierung von Molekular gebauten Verbindungen,die beed der zersetzung eines“单源前体”zum Gruppe III-Nitridauftreten Können。分子内碱性稳定的叠氮-Verbindungen von Ga,Al and in können ALS Einkonent Vorläufermoleküle zur Abscheidung von Kristallinen Filmen des AlN,GaN and Inn ben Tiefen Temperaturen genutzt en genutzn。[Me_2N(CH_2)_3]MX_2和[Me_2N(CH_2)_3]_2MX在温度-矩阵分离下不存在。他说:“这是一件非常重要的事情。”从零开始,从零开始。在Einer Zusammenarbeit麻省理工学院教授K.Kohse-Höinghaus博士和博士B.Atakan(Physikalische Chemie der Universityät Bielefeld)Ein Baugleicher Thermolyseofen in Ein Massenspecktroeter Increert中,因此da?eine masenSpektroskopische analyder Thermolyseprodukte möglich wird。他说:“这是一件非常重要的事情,因为这件事发生了。这是最好的选择,也是最好的选择。

项目成果

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