Analysis of interface between electrode and zinc oxide semiconductor for ultraviolet photo device
紫外光电器件电极与氧化锌半导体界面分析
基本信息
- 批准号:20860014
- 负责人:
- 金额:$ 2.1万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
- 财政年份:2008
- 资助国家:日本
- 起止时间:2008 至 2009
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Schottky contact is essential for rectifiability between electrode and zinc oxide (ZnO) which can be applied as ultraviolet photo device. However, it was difficult to control formation of the electrode with stable Schottky contact. Elucidation of correlation between contacts and material properties has been required. Pd/ZnO interface was analyzed as model system by using a high-voltage high-resolution transmission electron microscope. The local atomic structure could by quantitatively determined and the interfacial electric state was simulated by first principle calculation. The correlation between the local atomic structure and electric properties could be elucidated.
氧化锌(ZnO)作为紫外光器件,其与电极之间的肖特基接触是实现整流的关键。然而,难以控制具有稳定肖特基接触的电极的形成。需要阐明接触和材料性能之间的相关性。采用高压高分辨透射电子显微镜对Pd/ZnO界面进行了分析。通过第一性原理计算,可以定量地确定局域原子结构,并模拟了界面电子态。局域原子结构和电学性质之间的相关性可以得到解释。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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p型SiC半导体/Ti_3SiC_2电极界面原子结构分析
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Chae;SR.;Hiroshi Yamamura;Hiroshi Yamamura;Mitsuhiro Saito;Zhongchang Wang;Zhongchang Wang;斎藤光浩;着本享;斎藤光浩;王中長;斎藤光浩
- 通讯作者:斎藤光浩
SiC/Ti_3SiC_2 interface : Atomic structure, energetic, and bonding
SiC/Ti_3SiC_2 界面:原子结构、能量和键合
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Chae;SR.;Hiroshi Yamamura;Hiroshi Yamamura;Mitsuhiro Saito;Zhongchang Wang;Zhongchang Wang
- 通讯作者:Zhongchang Wang
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La掺杂SrTiO_3薄膜的STEM结构分析
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Chae;SR.;Hiroshi Yamamura;Hiroshi Yamamura;Mitsuhiro Saito;Zhongchang Wang;Zhongchang Wang;斎藤光浩
- 通讯作者:斎藤光浩
Atomic and electronic structure of the YBa2Cu3O7/SrTiO3 interface from first principles
- DOI:10.1063/1.3257264
- 发表时间:2009-11
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Zhongchang Wang;S. Tsukimoto;M. Saito;Y. Ikuhara
- 通讯作者:Zhongchang Wang;S. Tsukimoto;M. Saito;Y. Ikuhara
p型SiC半導体/Ti-A1系オーミック電極界面の原子構造解析
p型SiC半导体/Ti-A1欧姆电极界面原子结构分析
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Chae;SR.;Hiroshi Yamamura;Hiroshi Yamamura;Mitsuhiro Saito;Zhongchang Wang;Zhongchang Wang;斎藤光浩;着本享;斎藤光浩
- 通讯作者:斎藤光浩
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