Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substrate
Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substrate
使用三维基板的低温多晶硅TFT闪存的研究
批准号：
20860086
负责人：
ICHIKAWA Kazunori
金额：
$2.1万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
中文摘要
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英文摘要
a-Si and SiO_2 were fabricated with the special plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) equipment with side-wall type electrode. Both of the a-Si layers in 3-dimensional substrate were crystallized by irradiation of a green laser (wavelength 532nm) at same time. As a result, retention time and on current were markedly improved from the transient behavior of the transfer curve. These observations suggested that not only crystalline but quality of tunneling oxide were also improved.
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Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3 dimentonal substrate
使用三维基板的低温多晶硅TFT闪存的研究
使用三维基板的低温多晶硅TFT闪存的研究
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. ICHIKAWA, M. ATSUE, H. AKAMATSU, Y. URAOKA]
通讯作者：
Y. URAOKA
三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価
采用三维基板的低温多晶硅TFT闪存特性评估
采用三维基板的低温多晶硅TFT闪存特性评估
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川和典, 松江将博, 赤松浩, 浦岡行治, 市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治]
通讯作者：
市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
内部アンテナ型ICP-CVDを用いたSiドット及びSiO2膜の低温形成
使用内置天线型 ICP-CVD 低温形成 Si 点和 SiO2 膜
使用内置天线型 ICP-CVD 低温形成 Si 点和 SiO2 膜
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[市川和典, 松江将博, 西敬生, 山本伸一, 浦岡行治, 東大介]
通讯作者：
東大介
三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価
三维基板绿光激光晶化LTPS-TFT闪存特性评估
三维基板绿光激光晶化LTPS-TFT闪存特性评估
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
影响因子：
--
作者：
[折原陸, 佐東信司, 平尾篤利, 市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治]
通讯作者：
市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治
三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価
三维基板绿光激光晶化表征 LTPS TFT 闪存
三维基板绿光激光晶化表征 LTPS TFT 闪存
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
影响因子：
--
作者：
[市州和典, 松江将博, 赤松, 浩浦岡行治]
通讯作者：
浩浦岡行治
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