Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3-dimentonal substrate

使用三维基板的低温多晶硅TFT闪存的研究

• 批准号: 20860086
• 负责人: ICHIKAWA Kazunori
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Kobe City College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20860086/
• 关键词: 低温poly-Si TFT; フラッシュメモリ; システムオンパネル; レーザー結晶化; 薄膜トランジスタ(TFT); Siナノドット; Poly-Si; 薄膜トランジスタ

a-Si and SiO_2 were fabricated with the special plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) equipment with side-wall type electrode. Both of the a-Si layers in 3-dimensional substrate were crystallized by irradiation of a green laser (wavelength 532nm) at same time. As a result, retention time and on current were markedly improved from the transient behavior of the transfer curve. These observations suggested that not only crystalline but quality of tunneling oxide were also improved.

利用侧壁型电极的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)装置制备了a-Si和SiO_2薄膜。用波长为532 nm的绿色激光同时照射三维衬底中的两个a-Si层进行了晶化。结果表明，与转移曲线的暂态行为相比，保留时间和导通电流得到了显著改善。这些观察表明，隧道氧化物的结晶和质量都得到了改善。

项目成果

Investigation of low temperature poly-Si TFT flash memory using 3 dimentonal substrate

使用三维基板的低温多晶硅TFT闪存的研究

• 发表时间: 2010
• 作者: K. ICHIKAWA;M. ATSUE;H. AKAMATSU;Y. URAOKA
• 通讯作者: Y. URAOKA

三次元基板を用いた低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価

采用三维基板的低温多晶硅TFT闪存特性评估

• 发表时间: 2009
• 作者: 市川和典;松江将博;赤松浩;浦岡行治;市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治
• 通讯作者: 市川和典松江将博西敬生山本伸一浦岡行治

内部アンテナ型ICP-CVDを用いたSiドット及びSiO2膜の低温形成

使用内置天线型 ICP-CVD 低温形成 Si 点和 SiO2 膜

• 发表时间: 2008
• 作者: 市川和典;松江将博;西敬生;山本伸一;浦岡行治;東大介
• 通讯作者: 東大介

三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS-TFTフラッシュメモリの特性評価

三维基板绿光激光晶化LTPS-TFT闪存特性评估

• 发表时间: 2009
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
• 作者: 折原陸;佐東信司;平尾篤利;市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治
• 通讯作者: 市川和典・松江将博・赤松浩浦岡行治

三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価

三维基板绿光激光晶化表征 LTPS TFT 闪存

• 发表时间: 2009
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告 109(321)
• 作者: 市州和典;松江将博;赤松;浩浦岡行治
• 通讯作者: 浩浦岡行治