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Development of carbon nanotube single electron transistors toward single electron circuits

碳纳米管单电子晶体管向单电子电路的发展

基本信息

批准号：
20710110
负责人：
MORI Takahiro
金额：
$ 2.83万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
起止时间：
2008 至 2009
项目状态：
已结题

项目摘要

単電子回路網は、理論的には究極の省エネルギー電子回路となるものである。その問題は基本素子となる単電子トランジスタを室温で動作させることにある。本研究課題ではカーボンナノチューブを用いた単電子トランジスタ(CNT-SET)の動作温度向上を目的とした。本研究では高温動作可能なCNT-SETの作製手法として、イオンビームによるカーボンナノチューブの部分変質法を開発した。これを用いて作製したCNT-SETによって160K程度での動作が実現された。

Single Electronic Circuit Network, Theoretical Ultimate Electronic Circuit Electronic Circuit.そのquestionはBasic elementとなる単electronicトランジスタをroom temperatureでactionさせることにある. The purpose of this research project is to use CNT-SET electronic technology to increase the operating temperature. This research is based on the high-temperature operation of the CNT-SET fabrication method and the partial quality improvement method of the CNT-SET.これを Use いて to make したCNT-SET によって 160K degree でのaction が実appear された.

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Higher temperature operation of the single electron transistors based on single-wall carbon nanotubes

基于单壁碳纳米管的单电子晶体管的高温工作

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
Sensors and Materials 21
影响因子：
0
作者：
T. Mori;S. Sato;K. Omura;S. Yajima;Y. Tsuruoka;K. Uchida;Y. Achiba;H. Yajima;K. Ishibashi
通讯作者：
K. Ishibashi

Formation of single electron transistors in single-walled carbon nanotubes with low energy Ar ion irradiation technique

DOI：
10.1116/1.3002388
发表时间：
2009-03
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology B
影响因子：
1.4
作者：
T. Mori;Shunsuke Sato;K. Omura;Shota Yajima;Yasuhiro Tsuruoka;Y. Achiba;K. Ishibashi
通讯作者：
T. Mori;Shunsuke Sato;K. Omura;Shota Yajima;Yasuhiro Tsuruoka;Y. Achiba;K. Ishibashi

Barrier formation technique using low energy Ar ion irradiation to form wide temperature range operable SWCNT-SET

利用低能Ar离子辐照形成宽温度范围可操作的SWCNT-SET的势垒形成技术

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. Mori;S. Sato;K. Omura;S. Yajima;Y. Tsuruoka;Y. Achiba;K. Ishibashi;Kohei Nakamoto;Takahiro Mori;Kohei Nakamoto;栗田僚二;Takahiro Mori;Takahiro Mori
通讯作者：
Takahiro Mori

Arイオンビーム部分照射によるhigh-EC SWCNT-SETの形成

部分Ar离子束照射形成高EC SWCNT-SET

DOI：
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
0
作者：
森貴洋;鶴岡泰広;阿知波洋次;石橋幸治
通讯作者：
石橋幸治

DOI：
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作者：
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MORI Takahiro;NISHIURA Masaki;KENMOCHI Naoki;Ueda Kenji;Nakazawa Takuya;Yoshida Zensho
通讯作者：
Yoshida Zensho