Analyses of chemical reaction producing carbonized-metal for ULSI plasma etching process

ULSI等离子刻蚀工艺碳化金属化学反应分析

• 批准号: 20760023
• 负责人: TAKAHASHI Kazuo
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760023/
• 关键词: プラズマプロセス; プラズマ加工; エッチング; ナノデバイス

This study was for plasma etching technology in fabrication of ULSI MOSFET gate with a few ten nm size and hafnium oxide as an insulating material. In CF_4/Ar plasmas with addition of CO or H_2 resulting in making the gas phase carbon-rich, the etch rates of Si and SiO_2 were decreased. On the other hand, that of HfO_2 was increased, which implied that HfO_2 could be etched in the reaction of carbonized-hafnium formed as an etch product.

本研究系以氧化铪为绝缘材料，探讨电浆蚀刻技术在超大规模半导体场效电晶体闸极制程中之应用。在CF_4/Ar等离子体中加入CO或H_2使气相富碳，降低了Si和SiO_2的刻蚀速率。另一方面，HfO_2的腐蚀速率增加，这意味着HfO_2可以在碳化铪的腐蚀反应中被腐蚀。

项目成果

マイクロアレイ用基板及びその製造方法

微阵列基板及其制造方法

• 发表时间: 2008

高誘電率(High-k)材料のエッチング反応

高介电常数（High-k）材料的蚀刻反应

• 发表时间: 2010
• 期刊: Material Stage 5巻
• 作者: 高橋和生;高橋麗
• 通讯作者: 高橋麗

COおよびH2添加CF4プラズマにおけるHfO2のエッチング特性

HfO2 在添加 CO 和 H2 的 CF4 等离子体中的蚀刻特性

• 发表时间: 2010
• 作者: 美山遼;高橋和生
• 通讯作者: 高橋和生

COおよびH_2添加CF_4プラズマにおけるHfO_2のエッチング特性

HfO_2在CO和H_2添加CF_4等离子体中的刻蚀性能

• 发表时间: 2010
• 作者: 美山遼;高橋和生
• 通讯作者: 高橋和生

Etching of diamond-like carbon in fluorocarbon plasmas

氟碳等离子体中类金刚石碳的蚀刻

• 发表时间: 2008
• 作者: Rei Takahashi;Kazuo Takahashi
• 通讯作者: Kazuo Takahashi