Study on electro plating and etching for metal interconnect in integrated circuit assisted with ArF excimer laser

ArF准分子激光辅助集成电路金属互连电镀和刻蚀研究

• 批准号: 20760086
• 负责人: KHAJORNRUNGRUANG Panart
• 金额: $ 2万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760086/
• 关键词: ナノ・マイクロ加工; ナノ構造作製; 光応用加工; 紫外光; エッチング; めっき; リソグラフィ; ナノ槽造作製

The aim of this work is to establish a technology which can fabricate metallic interconnection pattern directly on wafer surface by assisting with ultra violet laser irradiation. By irradiating the UV laser on the wafer surface dipped in process solution, the region to be irradiated would be locally plated or etched. This technique could realize the fabrication of metallic interconnection pattern used in integrated circuit. At present circumstance, UV laser irradiation can enhance the local etching. The copper on wafer was etched by not only use of the chemical solution, but also use of ultra pure water. The etching rate in ultra pure water was 10 nm/min, when applying the dual UV laser beam exposure (under the conditions of λ=193nm, 4mJ/pulse ; 100pulse/sec). Main issues of this technology are the transmissivity of the short wavelength of UV laser in process solutions and the process control of enhancement or inhibition in different compounding process solution.

本工作的目的是建立一种利用紫外激光辅助直接在硅片表面制作金属互连图形的技术。通过将UV激光照射在浸入工艺溶液中的晶片表面上，待照射的区域将被局部电镀或蚀刻。该工艺可实现集成电路金属互连图形的制作。目前，紫外激光照射可以增强局部刻蚀。不仅使用化学溶液，而且使用超纯水蚀刻晶片上的铜。当采用双紫外激光束曝光（λ= 193 nm，4 mJ/pulse ; 100 pulse/sec）时，在超纯水中的刻蚀速率为10 nm/min。该技术的主要问题是短波长紫外激光在工艺溶液中的透射和不同配混工艺溶液中增强或抑制的过程控制。

项目成果

Cu-CMP with Ultraviolet light irradiation in deionized water

去离子水中紫外光照射的 Cu-CMP

• 发表时间: 2008
• 作者: Panart Khajornrungruang;Keiichi Kimura;Nobutaka Sumomoai
• 通讯作者: Nobutaka Sumomoai

レーザ照射によるめっき液中での金属の部分的析出及びエッチングの試み

激光照射电镀液中金属的部分沉积和蚀刻试验

• 发表时间: 2009
• 作者: N. Hayazawa;H. Ishitobi;and S. Kawata;神崎政人
• 通讯作者: 神崎政人

Cu-CMP assisted with Ultra Violet light irradiation directly to wafersurface

Cu-CMP 辅助紫外线直接照射到晶圆表面

• 发表时间: 2009
• 作者: Panart Khajornrungruang;Keiichi Kimura;Nobutaka Sumomogi
• 通讯作者: Nobutaka Sumomogi

Cu-CMP assisted with Ultra Violet light i r r a d i a t i o n d i r e c t l y t o w a f e r s u r f a c e

Cu-CMP 辅助紫外线直接照射到晶圆表面

• 发表时间: 2009
• 作者: Panart Khajornrungruang;Keiichi Kimura;Nobutaka Sumomogi
• 通讯作者: Nobutaka Sumomogi

紫外線レーザ照射による金属の部分的析出及びエッチングに関する研究

紫外激光照射部分金属沉积及刻蚀研究

• 发表时间: 2010
• 作者: 神崎政人;木村景一;パナートカチョーンルンルアン
• 通讯作者: パナートカチョーンルンルアン