Nanostrukturierung von Photolacken in flüssiger Umgebung mit Rastersondenmikroskopen

使用扫描探针显微镜在液体环境中形成光致抗蚀剂的纳米结构

• 批准号: 5379213
• 负责人: Professor Dr. Ludwig Josef Balk
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Elektronik (aufgelöst)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1996-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5379213?language=en
• 关键词: Nanostrukturierung; von; Photolacken; fl; ssiger

Der Antragsteller konnte erfolgreich das von ihm entwickelte Nanolithographieverfahren, welches eine dreidimensionale Strukturierung von konventionellen Photolackschichten mit einem Rasterkraftmikroskop in flüssiger Entwicklerumgebung ermöglicht, zur Erzeugung positiver und negativer Geometrien einsetzen. Dabei wurde die Abhängigkeit von z.B. Auflagekraft und Rastergeschwindigkeit untersucht. Eine vollständige Beschreibung des Prozesses ist bislang noch nicht möglich. Dies soll insbesondere durch detaillierte Untersuchungen der thermischen und elektrochemischen Parameter mittels der hochaufgelösten Rastersondentechnik erfolgen. Der Antragsteller will hierzu sowohl etablierte als auch von ihm neu entwickelte Rastersondenmikroskopietechniken einsetzen, welche sowohl eine in situ-Strukturierung der Probenoberfläche als auch die höchstortsaufgelöste Charakterisierung der fest/flüssig-Phasengrenzfläche vor, während und nach der Strukturierung zulassen.

Der Antragsteller konnte erfolgreich das von ihm entwickelte Nanolithographyeverfahren，welches eine dreidimensionale Strukturierung von conventionellen Photolackschichten mit einem Rasterkraftmikroskop in flüssiger Entwicklerumgebung ermöglicht，zur Erzeugung positiver und negativer Geometrien einsetzen.大北是z.B.的咒语。Auflagekraft和Rastergeschwindigkeit untersucht。一个对过程的最大的期望还不够。这些都是通过对热效应和电化学参数的详细研究来确定的。Der Antragsteller will hierzu sowohl etablierte als auch von ihm neu entwickelte Rastersondenmikroskopietechniken einsetzen，welche sowohl eine in situ-Strukturierung der Probenoberfläche als auch die höchstortsaufgelöste Charakterisierung der fest/flüssig-Phasengrenzfläche vor，während und nach der Strukturierung zulassen.