Study on crystal grains of GaN which has microstructures in mesoscopic scale.

具有介观尺度微观结构的GaN晶粒的研究。

• 批准号: 21560013
• 负责人: AKIMOTO Koichi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560013/
• 关键词: 化合物半導体; X線回折; 結晶工学; 窒化ガリウム; メゾスコピック; GaN

By X-ray topography using CCD camera,ΔθandΔd successfully measured separately inμm order GaN which has microstructures in mesoscopic scale. By employing Darwin's dynamical X-ray diffraction theory, quantitative evaluation of strain at surfaces and interfaces becomes possible. Method of quantitative strain analysis on the GaN surface was established.

利用CCD相机X射线形貌术，成功地测量了具有介观尺度微结构的μm级GaN的Δθ和Δd。通过采用达尔文的动态X射线衍射理论，在表面和界面处的应变的定量评估成为可能。建立了GaN表面应变定量分析方法。

项目成果

Novel Film Growth Mechanism using Tribo-Assisted Phenomenon

利用摩擦辅助现象的新型薄膜生长机制

• 发表时间: 2009
• 作者: 渡辺剛;細貝拓也;小金澤智之;田村浩平;齋藤正基;神谷亮輔;菊池護;吉本則之;K.Akimoto
• 通讯作者: K.Akimoto

Structure of the quasi-one-dimensional Si(553)-Au surface

准一维Si(553)-Au表面结构

• DOI: 10.1103/physrevb.82.075426
• 发表时间: 2010
• 期刊: Gold dimer row and silicon honeycomb chain, Phys. Rev
• 作者: W. Voegeli;T. Takayama;T. Shirasawa;M. Abe;K. Kubo;T. Takahashi;K. Akimoto;and H. Sugiyama
• 通讯作者: and H. Sugiyama

Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction, 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces

使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析，第 11 届国际原子控制表面会议

• 发表时间: 2011
• 作者: 野地尚;今泉真人;足立匡;小池洋二;K. Akimoto
• 通讯作者: K. Akimoto

Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction

使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析

• 发表时间: 2011
• 作者: 小野久美子・徳山尊大;金岡鐘局・青島貞人;K.Akimoto
• 通讯作者: K.Akimoto

周期表第13族金属窒化物基板

元素周期表第13族金属氮化物基材

• 发表时间: 2012