Epitaxial Growth and Electrical Property of Compositionally-modulated Boride Thin Films

成分调制硼化物薄膜的外延生长和电性能

• 批准号: 21560029
• 负责人: YOSHIMOTO Mamoru
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560029/
• 关键词: ホウ化物; エピタキシャル薄膜; 組成変調; パルスレーザーアブレーション; 半導体的電子機能; 積層化; ドーピング; レーザーMBE; 熱電変換機能

In this study, epitaxial thin film of various hexaboride series including LaB6, BaB6, SrB6, CaB6,(La, Sr) B6, and(Sr, Ca) B6 s were fabricated successfully by means of laser molecular beam epitaxy(laser MBE). These epitaxial boride thin films are expected wide applications such as thermoelectric conversion materials, a high current density field emission flat source, and high-temperature electronic devices. Through the various film processing such as substrate-surface engineering were applied for development of film epitaxy, we could obtain the knowledge on the new material science concerning with the crystal growth of boron-octahedron cluster structure.

本文采用激光分子束外延（laser molecular beam epithy, laser MBE）的方法，成功制备了LaB6、BaB6、SrB6、CaB6、（La, Sr） B6、（Sr, Ca） B6等六硼化物系列的外延薄膜。这些外延硼化物薄膜在热电转换材料、高电流密度场发射平面源和高温电子器件等方面具有广泛的应用前景。通过将衬底-表面工程等各种薄膜加工技术应用于薄膜外延的开发，我们可以获得与硼-八面体簇状结构晶体生长有关的新材料科学知识。

项目成果

Constriction of lattice constant in epitaxial magnesium oxide thin film

外延氧化镁薄膜晶格常数的收缩

• 发表时间: 2010
• 期刊: J. Appl. Phys.
• 作者: S. Kaneko;T. Nagano;K. Akiyama;T. Ito;M. Yasui;Y. Hirabayashi;H. Funakubo;and M. Yoshimoto
• 通讯作者: and M. Yoshimoto

Crystal Growth Control of Functional Oxide Thin Films on Nanopatterned Substrate Surfaces

纳米图案基底表面上功能性氧化物薄膜的晶体生长控制

• 发表时间: 2009
• 期刊: J. Laser Micro/Nanoengineering
• 作者: Y. Akita;Y. Sugimoto;K. Kobayashi;T. Suzuki;H. Oi;M. Mita and M. Yoshimoto
• 通讯作者: M. Mita and M. Yoshimoto

Nanoimprint Fabrication and Thermal Behavior of Atomically Ultrasmooth Glass Substrate with 0.2nm-Height Steps

0.2nm 高度台阶的原子级超光滑玻璃基板的纳米压印制造和热行为

• 发表时间: 2011
• 期刊: Jpn.J.Appl.Phys.
• 作者: Y.Miyake;Y.Akita;H.Oi;M.Mita;S.Kaneko;K.Koyama;K.Sunagawa;K.Tada;Y.Hirai;M.Yoshimoto
• 通讯作者: M.Yoshimoto

PLDによる不純物ドープMgOエピタキシャル薄膜の室温合成と評価

PLD 掺杂 MgO 外延薄膜的室温合成与评价

• 发表时间: 2009
• 作者: 坂本純一;et al.;春木一夫,渡辺将章,佐藤英樹,齋藤弥八;荒井秀樹,加藤侑志,白石尚輝,土嶺信男,小林晋,吉本護
• 通讯作者: 荒井秀樹,加藤侑志,白石尚輝,土嶺信男,小林晋,吉本護

Room-Temperature Epitaxial Growth of (Li,Ni)O Thin Film with Li Content up to 60 mol %

室温%20外延%20生长%20of%20(Li,Ni)O%20薄%20薄膜%20with%20Li%20含量%20up%20to%2060%20mol%20%

• DOI: 10.1143/jjap.49.108001
• 发表时间: 2010
• 作者: N. Shiraishi;Yushi Kato;H. Arai;Nobuo Tsuchimine;Susumu Kobayashi;M. Mitsuhashi;M. Soga;S. Kaneko;M. Yoshimoto
• 通讯作者: M. Yoshimoto