Development of hetero-structure control and opto-electronics device application technology based on III-nitride semiconductor nanowall crystal

基于III族氮化物半导体纳米壁晶体的异质结构控制及光电子器件应用技术开发

• 批准号: 21310087
• 负责人: KIKUCHI Akihiko
• 金额: $ 12.4万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21310087/
• 关键词: ナノ光デバイス; ナノ電子デバイス; ガリウムナイトライド; ナノウォール; 半導体レーザ; FET; 窒化物半導体; 選択成長; 電界効果トランジスタ; ナノ結晶; 分子線エピタキシー; 半導体超微細化; GaN; ナノコラム

The selective area RF-MBE growth technology of artificially shape controlled thin GaN nano-crystal of "nanowall" was established. It was found that dislocation stopping mechanism at the bottom of nanowall brings about high quality dislocation-free crystal growth. Nanowall top shape control technique, growth conditions of embedded InGaN active layer and dependency of emission characteristics of InGaN/GaN nanowall was clarified. The potentiality of GaN nanowall for optical and electronic device application was proved by room temperature photo-pumped lasing of GaN nanowall and first demonstration of AlGaN/GaN heterostructure nano-FET.

建立了“纳米墙”人工形状控制的GaN薄纳米晶体的选择性区域RF-MBE生长技术。研究发现，纳米壁底部的位错停止机制可以实现高质量的无位错晶体生长。阐明了纳米壁顶形控制技术、嵌入式InGaN活性层的生长条件以及InGaN/GaN纳米壁发射特性的依赖关系。通过室温光抽运GaN纳米壁和首次展示AlGaN/GaN异质结构纳米场效应晶体管，证明了GaN纳米壁在光学和电子器件中的应用潜力。

项目成果

AlN/GaN多層膜反射鏡上InGaN/GaN MQWナノコラム共振器構造の制御

AlN/GaN 多层反射器上 InGaN/GaN MQW 纳米柱谐振器结构的控制

• 发表时间: 2010
• 作者: 荒木隆一;岸野克巳;石沢峻介;小川高史;菊池昭彦
• 通讯作者: 菊池昭彦

InGaN-based nanocolumn technology for blue to red emission

基于 InGaN 的纳米柱技术，可实现蓝光到红光发射

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Kishino;A.Kikuchi;H.Sekiguchi;T.Kouno
• 通讯作者: T.Kouno

Selective Area Growth of InN Nano-Crystals on Pt-Mask Patterned Sapphire(0001)Substrate by RF-MBE

RF-MBE 在 Pt 掩模图案化蓝宝石 (0001) 衬底上选择性区域生长 InN 纳米晶体

• 发表时间: 2009
• 作者: 神村淳平;岸野克巳;菊池昭彦
• 通讯作者: 菊池昭彦

Anderson localization of light in random configuration of dielectric circular cylinders

介电圆柱体随机配置中的安德森光定位

• 发表时间: 2009
• 作者: Y.Inose;T.Ohtsuki;H.Kunugita;K.Ema;M.Sakai;A.Kikuchi;K.Kishino
• 通讯作者: K.Kishino

Random laser in artificially-disordered GaN nanocolumn

人工无序 GaN 纳米柱中的随机激光

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Sakai;K.Kishino;H.Sekiguchi;A.Kikuchi;Y.Inose;K.Ema;T.Ohtsuki
• 通讯作者: T.Ohtsuki