Study on multiple-color emission mechanism and device application of InGaN nanocolumns

InGaN纳米柱多色发光机理及器件应用研究

• 批准号: 18310079
• 负责人: KIKUCHI Akihiko
• 金额: $ 11.46万
• 依托单位: Sophia University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18310079/
• 关键词: ナノコラム; 発光ダイオード; ナノデバイス; 量子井戸; 半導体超微細化; ナノ結晶; 光源技術; 窒化物半導体; 分子線エピタキシー

InGaN/GaN多重量子井戸を発光層とする自己形成型GaNナノコラム結晶における多色発光現象の発現機構を説明する有力なモデルを構築した。デバイス応用技術として金属膜上フレキシブルナノコラムLEDを作製し室温赤色発光を得た。また、Tiマスクによるナノ結晶の位置・形状制御技術、ナノコラム径による青色から赤色までの発光色制御技術、なよび新しい機能性ナノ結晶であるGaNナノウォールを降開発した。

InGaN/GaN multiple quantum well opens を 発 light layer と す る themselves form type GaN ナ ノ コ ラ ム crystallization に お け る phenomenon of polychromatic light 発 の 発 institutions now を illustrate す る powerful な モ デ ル を build し た. デ バ イ ス 応 technology と し て in metal film フ レ キ シ ブ ル ナ ノ コ ラ ム red 発 し at room temperature to light the LED を cropping を た. ま た, Ti マ ス ク に よ る ナ ノ crystallization の location, shape suppression technology, ナ ノ コ ラ ム diameter に よ る cyan か ら red ま で の 発 suppression technology, light color な よ び new し い functional ナ ノ crystallization で あ る GaN ナ ノ ウ ォ ー ル を drop open 発 し た.

项目成果

Ultraviolet GaN-based nanocolumn light-emitting diodes grown on n-(111) Si substrates by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy

• DOI: 10.1002/pssa.200778733
• 发表时间: 2008-05-01
• 期刊: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
• 影响因子: 2
• 作者: Sekiguchi, Hiroto;Kato, Kei;Kishino, Katsumi
• 通讯作者: Kishino, Katsumi

Ti-mask selective area growth of GaN nanowalls by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (Invited)

射频等离子体辅助分子束外延 Ti 掩模选择性区域生长 GaN 纳米墙（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: A. Kikuchi;K. Kishino;T. Hoshino
• 通讯作者: T. Hoshino

Nanocolumn GaN LEDs covering full visible colors and related growth technology (Invited)

覆盖全可见光的纳米柱GaN LED及相关生长技术（特邀）

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Kishino;A. Kikuchi;H. Sekiguchi;S. Ishizawa
• 通讯作者: S. Ishizawa

Optical properties of amber-emission InGaN/GaN single quantum disk nanocolumns

琥珀色发射 InGaN/GaN 单量子盘纳米柱的光学特性

• 发表时间: 2008
• 作者: J. Tanaka;K. Kishino;H. Sekiguchi;A. Kikuchi
• 通讯作者: A. Kikuchi

RF-MBE法を用いたGaNテンプレート上lnGaN/GaN量子井戸の成長

使用 RF-MBE 方法在 GaN 模板上生长 lnGaN/GaN 量子阱

• 发表时间: 2007
• 作者: 阿久津 正典;Ramesh Vadivelu;関口 寛人;石沢 峻介;菊池 昭彦;岸野 克巳
• 通讯作者: 岸野 克巳