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Study on multiple-color emission mechanism and device application of InGaN nanocolumns

Study on multiple-color emission mechanism and device application of InGaN nanocolumns
InGaN纳米柱多色发光机理及器件应用研究
批准号：
18310079
负责人：
KIKUCHI Akihiko
金额：
$11.46万
依托单位：
Sophia University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18310079/
关键词：
ナノコラム発光ダイオードナノデバイス量子井戸半導体超微細化ナノ結晶光源技術窒化物半導体分子線エピタキシー

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InGaN/GaN多重量子井戸を発光層とする自己形成型GaNナノコラム結晶における多色発光現象の発現機構を説明する有力なモデルを構築した。デバイス応用技術として金属膜上フレキシブルナノコラムLEDを作製し室温赤色発光を得た。また、Tiマスクによるナノ結晶の位置・形状制御技術、ナノコラム径による青色から赤色までの発光色制御技術、なよび新しい機能性ナノ結晶であるGaNナノウォールを降開発した。
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会议论文
Ultraviolet GaN-based nanocolumn light-emitting diodes grown on n-(111) Si substrates by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy
DOI： 10.1002/pssa.200778733
发表时间： 2008-05-01
期刊： PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
影响因子： 2
作者： [Sekiguchi, Hiroto, Kato, Kei, Kishino, Katsumi]
通讯作者： Kishino, Katsumi
Ti-mask selective area growth of GaN nanowalls by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy (Invited)
射频等离子体辅助分子束外延 Ti 掩模选择性区域生长 GaN 纳米墙（特邀）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Kikuchi, K. Kishino, T. Hoshino]
通讯作者： T. Hoshino
Nanocolumn GaN LEDs covering full visible colors and related growth technology (Invited)
覆盖全可见光的纳米柱GaN LED及相关生长技术（特邀）
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Kishino, A. Kikuchi, H. Sekiguchi, S. Ishizawa]
通讯作者： S. Ishizawa
Optical properties of amber-emission InGaN/GaN single quantum disk nanocolumns
琥珀色发射 InGaN/GaN 单量子盘纳米柱的光学特性
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [J. Tanaka, K. Kishino, H. Sekiguchi, A. Kikuchi]
通讯作者： A. Kikuchi
共 96 条
    Development of nano-mist deposition technique and study on inorganic/organic hybrid disposable optical functional sheet
    • 批准号：
      24656216
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      KIKUCHI Akihiko
    • 依托单位：
      Sophia University
    Research on ultrafine GaN nanowall light-emitting devices having InGaN quantum active layer
    • 批准号：
      24310106
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.81万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      KIKUCHI Akihiko
    • 依托单位：
      Sophia University
    Development of hetero-structure control and opto-electronics device application technology based on III-nitride semiconductor nanowall crystal
    • 批准号：
      21310087
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $12.4万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      KIKUCHI Akihiko
    • 依托单位：
      Sophia University
    Affinity regulation of proteins with thermoresponsive polymer-brush interfaces
    • 批准号：
      18500367
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.63万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      KIKUCHI Akihiko
    • 依托单位：
      Tokyo University of Science
    海外基金