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Study on lithography-less solution process for nano-devices and its application to nonvolatile memories
纳米器件无光刻溶液工艺研究及其在非易失性存储器中的应用
基本信息
- 批准号：21360144
- 负责人：
- 金额：$ 11.32万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this research project, a novel device fabrication process using liquid sources without conventional lithography techniques has been proposed. It was confirmed that the physical properties of thin films are closely related to thermal properties of source solutions and design concept for source solutions are defined. Next, ferroelectric-gate nonvolatile memory devices have been demonstrated using the proposed total solution process. In addition, the direct patterning of oxide films using solution process has been achieved.
在该研究项目中，已经提出了使用无常规光刻技术的液态源的新型设备制造工艺。据证实，薄膜的物理特性与源解决方案的热特性密切相关，并定义了源溶液的设计概念。接下来，使用拟议的总溶液过程证明了铁电栅极非易失性存储设备。另外，已经实现了使用溶液过程的氧化膜直接模式。
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
SUB-MICRON FERROELECTRIC-GATE THIN FILM TRANSISTOR USING SOL-GEL ITO CHANNEL AND STACKED(BLT/PZT) INSULATOR
使用溶胶-凝胶 ITO 通道和堆叠 (BLT/PZT) 绝缘体的亚微米铁栅薄膜晶体管
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Bui Nguyen Quoc Trinh;Takaaki Miyasako;Toshihiko Kaneda;Phan Trong Tue;Pham Van Thanh;Eisuke Tokumitsu;and Tatsuya Shimoda
- 通讯作者：and Tatsuya Shimoda
Fabrication and Characterization of ITO/BZN Thin Film Transistors
ITO/BZN 薄膜晶体管的制造和表征
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0.6
- 作者：T.Ishikawa;H.-x.Liu;T.Taira;K.-i.Matsuda;T.Uemura;M.Yamamoto;Eisuke TOKUMITSU and Yohei KONDO
- 通讯作者：Eisuke TOKUMITSU and Yohei KONDO
Fabrication of IGZO andIn_2O_3-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors
IGZO和In_2O_3沟道铁电栅薄膜晶体管的制备
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉村哲;江川元太;李正〓;齊藤準;浅野秀文;李国慶;Eisuke Tokumitsu and Tomohiro Oiwa
- 通讯作者：Eisuke Tokumitsu and Tomohiro Oiwa
液体プロセスによるIn_2O_3及びIn-Zn-O(IZO)チャネル薄膜トランジスタの形成
液态工艺形成In_2O_3和In-Zn-O（IZO）沟道薄膜晶体管
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：高橋泰裕;徳光永輔
- 通讯作者：徳光永輔
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