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Proposal of varialbe-area electrode structure by field effect and its application to variable capacitors

Proposal of varialbe-area electrode structure by field effect and its application to variable capacitors
场效应变面积电极结构的提出及其在可变电容器中的应用
批准号：
24360119
负责人：
TOKUMITSU Eisuke
金额：
$11.65万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360119/
关键词：
薄膜トランジスタ可変容量キャパシタ強誘電体高誘電率材料酸化物半導体可変キャパシタ酸化物半導

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Characterization of In2O3 Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors
In2O3 沟道铁电栅薄膜晶体管的表征
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Ken-Ichi Haga, Yuki Nakada, Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu]
通讯作者： Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
Investigation of solution-processed bismuth-niobium-oxide films
溶液处理氧化铋铌薄膜的研究
DOI： 10.1063/1.4898323
发表时间： 2014
期刊： J. Appl. Phys.
影响因子： --
作者： [Satoshi Inoue, Tomoki Ariga, Shin Matsumoto, Masatoshi Onoue, Takaaki Miyasako, Eisuke Tokumitsu, Norimichi Chinone, Yasuo Cho and Tatsuya Shimoda]
通讯作者： Yasuo Cho and Tatsuya Shimoda
Relationship between Source/Drain-Contact Structures and Switching Characteristics in Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors
氧化物沟道铁电栅薄膜晶体管的源极/漏极接触结构与开关特性之间的关系
DOI： 10.7567/jjap.53.09pa07
发表时间： 2014
期刊： Jpn. J. Appl. Phys
影响因子： --
作者： [Ken-ichi Haga, Yuuki Nakada, Dan Ricinschi, and Eisuke Tokumitsu]
通讯作者： and Eisuke Tokumitsu
Evaluation of Channel Modulation in IN203/(Bi, La)4Ti3012 Ferrolectric-Gate Thin Film Transistors by Capacitance-Voltage Measurements
通过电容电压测量评估 IN203/(Bi, La)4Ti3012 铁电栅极薄膜晶体管的通道调制
DOI： 10.1080/00150193.2012.676933
发表时间： 2012
期刊： Ferroelectrics
影响因子： 0.8
作者： [0. Kojima, S. Ohta, T. Kita, and T.Isu, Eisuke Tokumitsu & Kazuya Kikuchi]
通讯作者： Eisuke Tokumitsu & Kazuya Kikuchi
共 22 条
    Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts
    Study on lithography-less solution process for nano-devices and its application to nonvolatile memories
    Proposal of huge-charge-controlled field-effect transistor using ferroelectric gate insulator and its application to next-generation integrated circuits
    Systematic survey and property control of high-dielectric-constant thin films for gate insulators of next generation MOSFETs