Proposal of varialbe-area electrode structure by field effect and its application to variable capacitors

场效应变面积电极结构的提出及其在可变电容器中的应用

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Characterization of In2O3 Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors
In2O3 沟道铁电栅薄膜晶体管的表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ken-Ichi Haga;Yuki Nakada;Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
  • 通讯作者：
    Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
Investigation of solution-processed bismuth-niobium-oxide films
溶液处理氧化铋铌薄膜的研究
  • DOI：
    10.1063/1.4898323
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    J. Appl. Phys.
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Satoshi Inoue;Tomoki Ariga;Shin Matsumoto;Masatoshi Onoue;Takaaki Miyasako;Eisuke Tokumitsu;Norimichi Chinone;Yasuo Cho and Tatsuya Shimoda
  • 通讯作者：
    Yasuo Cho and Tatsuya Shimoda
Relationship between Source/Drain-Contact Structures and Switching Characteristics in Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin-Film Transistors
氧化物沟道铁电栅薄膜晶体管的源极/漏极接触结构与开关特性之间的关系
  • DOI：
    10.7567/jjap.53.09pa07
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    Jpn. J. Appl. Phys
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Ken-ichi Haga;Yuuki Nakada;Dan Ricinschi;and Eisuke Tokumitsu
  • 通讯作者：
    and Eisuke Tokumitsu
Evaluation of Channel Modulation in IN203/(Bi, La)4Ti3012 Ferrolectric-Gate Thin Film Transistors by Capacitance-Voltage Measurements
通过电容电压测量评估 IN203/(Bi, La)4Ti3012 铁电栅极薄膜晶体管的通道调制
  • DOI：
    10.1080/00150193.2012.676933
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
    Ferroelectrics
  • 影响因子：
    0.8
  • 作者：
    0. Kojima;S. Ohta;T. Kita;and T.Isu;Eisuke Tokumitsu & Kazuya Kikuchi
  • 通讯作者：
    Eisuke Tokumitsu & Kazuya Kikuchi
Amorphous LaRuO Nano-Patterning Using Rheology Printing Method
采用流变印刷法的非晶 LaRuO 纳米图案
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Nagahara;J. Li;D. Hirose;E. Tokumitsu and T. Shimoda
  • 通讯作者：
    E. Tokumitsu and T. Shimoda
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Current control of graphene channel transistors using semiconductor contacts
使用半导体接触的石墨烯沟道晶体管的电流控制
  • 批准号：
    24656204
  • 财政年份：
    2012
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Study on lithography-less solution process for nano-devices and its application to nonvolatile memories
纳米器件无光刻溶液工艺研究及其在非易失性存储器中的应用
  • 批准号：
    21360144
  • 财政年份：
    2009
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Proposal of huge-charge-controlled field-effect transistor using ferroelectric gate insulator and its application to next-generation integrated circuits
采用铁电栅极绝缘体的大电荷控制场效应晶体管的提出及其在下一代集成电路中的应用
  • 批准号：
    15360157
  • 财政年份：
    2003
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Systematic survey and property control of high-dielectric-constant thin films for gate insulators of next generation MOSFETs
下一代MOSFET栅极绝缘体用高介电常数薄膜的系统研究和性能控制
  • 批准号：
    12450121
  • 财政年份：
    2000
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Low-Temperature MOCVD Technology for Ferroelectric Thin Films
铁电薄膜低温MOCVD技术的发展
  • 批准号：
    11555085
  • 财政年份：
    1999
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
Study on memory characteristics of non-volatile ferroelectric-gate transistors for neural network applications
用于神经网络应用的非易失性铁电栅晶体管的存储特性研究
  • 批准号：
    09450123
  • 财政年份：
    1997
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Preparation of ferroelectric BaMgF_4films on GaAs for the control of two-dimensional electron gas
GaAs上铁电BaMgF_4薄膜的制备用于二维电子气控制
  • 批准号：
    07455134
  • 财政年份：
    1995
  • 资助金额：
    $ 11.65万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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