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イオン液体を介したイオン性固体結晶の真空製膜法の開発

离子液体真空成膜离子固体晶体方法的开发

基本信息

批准号：
21656010
负责人：
松本祐司
金额：
$ 2.05万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21656010/
关键词：
イオン液体薄膜アルカリハライド

项目摘要

本研究課題では、研究代表者がこれまで開発に従事してきた真空下で安定に存在する液体フラックスを用いた真空製膜法であるフラックスエヒタキシー法を酸化物薄膜ばかりでなく、アルカリハライド固体材料に応用するため、以下の研究内容を通じて,イオン液体を介したエヒタキシャルアルカリハライド薄膜の新フロセスの確立を目的としている。平成22年度は以下の研究項目を実施した。(イオン液体を介したKBr(111)薄膜の作製)イオン液体を予め蒸着したサファイア基板上にKBrを赤外レーザーで蒸着した。サファイアの基板方位によらず、室温では、逆に結晶成長が阻害される傾向にあったが、基板温度を上げると、結晶性がよくなることがわかった。また、AFM観察から、c面サファイア基板上では、イオン液体を介すことで、KBr(111)面がよりよく成長し、かつ極性面による不安定性にもかかわらず、(111)面がnanoレベルで平坦化されたエヒタキシャルKBr結晶が得られることがわかった。KBrの成長後、試料をUHV-レーザー顕微鏡に移し、顕微鏡で観察しながら、真空中で加熱したところ、300℃付近で完全にイオン液体のみが蒸発し、KBr微結晶の輪郭がはっきりする様子を確認した。イオン液体除去後の試料の再度AFM観察を行ったところ、加熱したにもかかわらず、(100)面のファセットは生じず、安定な(111)面が保持されているのを確認した。以上の結果から、イオン液体を介することで、これまで困難であった、ナノレベルで平坦な(111)面を持つアルカリハライドエヒタキシャル薄膜の作製が可能であることが明らかになった。本成果は、ACSのCryst.&Growth Des.で発表するとともに、掲載号の表紙にもなった。

The subject of this study, the representative of the research, and the representatives of the research are interested in the study of the existence of thermal stability in vacuum, the use of vacuum film method, the use of acid film, the use of solid materials, and the content of the following research. The liquid is used to make sure that the purpose is to make sure that the film is in good condition. The following research projects were carried out in Pingcheng in the year 22. The liquid is steaming the KBr on the substrate. The KBr film is hot. The orientation of the substrate is sensitive, the temperature at room temperature, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate and the temperature of the substrate. On the surface of the substrate, on the surface of the surface, on the substrate, on the surface, on the surface of the KBr, on the surface of the substrate, on the surface of the substrate, on the substrate, on After the KBr has grown up, it can be measured by UHV- micrometer, micrometer, vacuum, temperature, temperature and temperature. After the liquid has been removed, the material is checked again by AFM to make sure that the product is clean and stable. The above results show that the liquid is used to make sure that the surface of the film is flat (111). It is possible to improve the performance of the thin film. This achievement is published by ACS Cryst.&Growth Des. Table