強相関相転移現象の表面化学と電界効果化学反応デバイスの開発
强相关相变现象的表面化学及场效应化学反应装置的开发
基本信息
- 批准号:17686056
- 负责人:
- 金额:$ 19.39万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份:2005
- 资助国家:日本
- 起止时间:2005 至 2007
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究提案では、基礎と応用の観点から以下の2つを主な目的とする。(1)強相関電子系に特有な電子状態の劇的な相転移現象の表面に与える影響を触媒反応のような化学的なアプローチで、STMを用いて原子レベルでこれを検証する。(2)強相関電子系に特有の劇的な相転移現象を電界で制御し、その効果を最大限にチューニングすることで、表面での吸着や化学反応と組み合わせた超高感度化学センサーの原理証明を行う。【研究成果1】超高真空温度可変高分解能STM-PLDシステムの開発本年度は、前年度に設計・開発したレーザー加熱型のPLD装置の立ち上げに、二酸化チタンアナターゼ薄膜、およびその表面上のCr担持構造の再現実験を行った。作製した二酸化チタン薄膜の原子像こそまだ得られていないが、ステップ-テラス構造をSTM観察することができた。また、in situでのLEED/AES解析と組み合わせ、Cr担持アナターゼ表面構造の形成機構に関する新しい知見を得ることができた。【研究成果2】強相関系ハーフメタル材料Sr_2FeMoO_6薄膜の作製今後、温度可変のSTM観察で相転移温度が300〜400K付近である興味ある材料の1つとして、Sr_2FeMoO_6薄膜の作製を試みた。FeとNoの組成比を制御することで、バルク単結晶に匹敵するハーフメタル磁気特性を有する薄膜の作製に成功した。また、Fe/Mo比を変化させることで、相転移温度を制御できることがわかったので、STM観察に適した試料作製の指針を得ることができた。
This research proposal is based on the main purpose and purpose of the basic application. (1) The strong correlation electron system has a unique electronic state and a phase shift phenomenon that affects the surface and the catalyst The anti-corrosion chemical and the STM atom are used to prove the chemical properties. (2) The phase shift phenomenon that is unique to the strongly correlated electronic system is the control of the electric field and the maximum limit of the effect.グすることで, surface でのsorption and chemical reaction combination み合わせたsuper high sensitivity chemical センサーのprinciple proof を行う. 【Research result 1】Ultra-high vacuum temperature can increase the decomposition energy of STM-PLD and open the design of the current year and the previous year. Thermal type PLD device's vertical structure, the diacidized film, and the Cr support structure on the surface are reproduced. The atomic image of the したdiacidized チタン film is producedが、ステップ-テラスstructuringをSTM観泽することができた.また, in situでのLEED/AES analysis and combination of み合わせ, Cr support アナターゼsurface structure の forming mechanism に关する新しい知见を得ることができた. [Research Results 2] In the future, the temperature can be adjusted according to the STM observation of the strong phase relationship material Sr_2FeMoO_6 thin film. The temperature was moved from 300 to 400K, and the production of Sr_2FeMoO_6 thin films was tested. The composition ratio of Fe and No is the same as that of the することで, and the バルク単crystal is comparable to the するハーフメタルmagnetic properties, and the する film has been successfully produced.また、Fe/Mo ratio change させることで、Phase shift temperature をcontrol できることがわかったので, STM 観看にsuitable したsample production のPointer ることができた.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Epitaxial Insulator for Bottom-gate Field-Effect Devices based on Oxides
用于基于氧化物的底栅场效应器件的外延绝缘体
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Ohara;Takeo Ohsawa;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto;榎並 悠介;和泉 賢;Masao Katayama
- 通讯作者:Masao Katayama
Epitaxial insulator for bottom-gate field-effect devices based on TiO2
用于基于 TiO2 的底栅场效应器件的外延绝缘体
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Takeuchi;M. Shinmei;Masao Katayama
- 通讯作者:Masao Katayama
Photochemical approach to Analysis of Ferroelectric Transition in BaxSr1-xTiO3 Epitaxial films
BaxSr1-xTiO3 外延薄膜中铁电转变的光化学方法分析
- DOI:
- 发表时间:2006
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Ohara;Takeo Ohsawa;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto
- 通讯作者:Yuji Matsumoto
Cr添加アナターゼTiO_2(001)エピタキシャル薄膜の表面再構成
Cr掺杂锐钛矿型TiO_2(001)外延薄膜的表面重构
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Ohara;Takeo Ohsawa;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto;榎並 悠介
- 通讯作者:榎並 悠介
パルスレーザー堆積法によるSr2FeMo06の薄膜のFe/Mo組成比と磁気特性
脉冲激光沉积法制备Sr2FeMo06薄膜的Fe/Mo成分比及磁性能
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Ohara;Takeo Ohsawa;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto;榎並 悠介;和泉 賢
- 通讯作者:和泉 賢
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- 发表时间:
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Susumu Sasaki
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