Research on the high-power pulsed sputtering discharge and its application to ion sources for thin film fabrication.
Research on the high-power pulsed sputtering discharge and its application to ion sources for thin film fabrication.
批准号:
22540501
负责人:
IKEHATA Takashi
金额:
$2.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2010
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2010 至 2012
中文摘要
为了研究高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)的放电特性,测量了其电压-电流密度特性和发射光谱。结果表明,HPPMS工作在异常辉光模式下,放电区域扩展到阴极的整个半径。放电电压上升,而初级电子约束退化的放电面积的扩大。接下来,我们提出了一种非均匀的潘宁suputterinf设备作为一种新型的高密度金属离子源。它使用等离子体漂移作为交叉场离子提取的机制。
英文摘要
In order to explore discharge properties of high-power pulsed magnetron sputtering (HPPMS)、 the voltage-current density characteristics and emission spectra were measured. It was found that HPPMS operated in the abnormal glow mode and the discharge area was extended over the whole radius of the cathode. The discharge voltage was found to rise while the primary electron confinement degraded by extention of the discharge area. Next、 we proposed an inhomogeneous Penning suputterinf device as a novel high-density metal ion source. It uses plasma drift as the mechanism of cross-field ion extraction.
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ペニングスパッタ装置の大電力パルス動作と高密度プラズマ生成
潘宁溅射设备的高功率脉冲操作和高密度等离子体生成
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[菊地貴允, 佐藤直幸, 東欣吾, (池畑隆)]
通讯作者:
(池畑隆)
Positive-plasma-bias method for plasma-based ion implantation and deposition
用于等离子体离子注入和沉积的正等离子体偏压方法
DOI:
10.1016/j.surfcoat.2010.03.004
发表时间:
2010
期刊:
Surf. Coat. Technol
影响因子:
--
作者:
[T.Ikehata, R. Sasaki, T. Tanaka, K. Yukimura]
通讯作者:
K. Yukimura
DOI:
--
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
作者:
[富田和成, 増子冬馬, 佐藤直幸, 池畑隆]
通讯作者:
池畑隆
Solid-phase growth of Mg2Si by annealing in inert gas atmosphere
惰性气体气氛退火固相生长 Mg2Si
DOI:
10.1002/pssc.201300358
发表时间:
2013
期刊:
Physica Status Solidi C
影响因子:
--
作者:
[T. Ikehata, T. Ando, T. Yamamoto, Y. Takagi, N. Sato, and H. Udono]
通讯作者:
and H. Udono
大電力パルス駆動ペニングスパッタ装置における高密度プラズマの生成に関する研究
高功率脉冲驱动潘宁溅射设备中高密度等离子体产生的研究
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[菊地貴允, 佐藤直幸, 東 欣吾, 池畑 隆]
通讯作者:
池畑 隆
共 18 条
DEVELOPMENT OF CENTRIFUGAL SEPARATION METHOD OF ISOTOPES BY USE OF A J*B DRIVEN ROTATING PLASMA
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批准号:05558059
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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资助金额:$2.82万
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财政年份:1993
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负责人:IKEHATA Takashi
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依托单位: