Investugation of Electro-migration Behavior in Solder Joints

焊点电迁移行为的研究

• 批准号: 22560722
• 负责人: UENISHI Keisuke
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-10-20 至 2013-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560722/
• 关键词: エレクトロマイグレーション; 鉛フリーはんだ; エレクトロニクス実装; 界面反応; 信頼性評価; 微細接合; 拡散係数; 接合信頼性

Electro-migration behavior was investigate for Sn-Ag based and Sn-Bi solder joints. Unlike in homogenious materials such as wiring materials, EM behavior was confirmed to change by the materials compoistion and current charging conditions. Such differences was clarified to be due to changes in critical current and velocity of EM in each element.Based on above obtained knowleges, exsistence of intermetallic compound or Ag barrier layer was investigated to be effective in order to surpress the EM in solder joints.

研究了Sn-Ag基焊点和Sn-Bi焊点的电迁移行为。与均匀材料如布线材料不同，EM行为被证实会因材料成分和电流充电条件而改变。这种差异被澄清是由于在每个元素中的EM的临界电流和速度的变化。基于上述获得的知识，金属间化合物或Ag阻挡层的存在进行了研究，以有效地抑制在焊点中的EM。

项目成果

Sn-Bi共晶はんだとNi/Au電極との界面反応と強度に及ぼすZn添加の影響

Zn添加对Sn-Bi共晶焊料与Ni/Au电极界面反应及强度的影响

• 发表时间: 2013
• 期刊: ate2013 「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム論文集
• 作者: 安藤智弥;岡本圭史郎;赤松俊也;作山誠樹;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

Sn-Bi共晶はんだを用いた微細はんだ接合部のエレクトロマイグレーション挙動に及ぼすバリア層の影響

阻挡层对 Sn-Bi 共晶焊料微焊点电迁移行为的影响

• 发表时间: 2012
• 期刊: 第22回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2012)論文集
• 作者: 酒井徹;八坂健一;赤松俊也;今泉延弘;岡本圭史郎;作山誠樹;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

Sn-Ag-Bi-In系はんだのBGA接合信頼性評価

Sn-Ag-Bi-In焊料的BGA键合可靠性评估

• 发表时间: 2013
• 期刊: Mate2013 「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム論文集
• 作者: 酒谷茂昭;日根清裕;森将人;古澤彰男;上西啓介
• 通讯作者: 上西啓介

導電・絶縁材料の電気および熱伝導特性制御

导电和绝缘材料的导电和导热性能的控制

• 发表时间: 2013
• 作者: 春山純志

Effect of preformed IMC Layer on Electromigration of Peripheral Ultra Fine Pitch C2 Flip Chip Interconnection with Solder Capped Cu Pillar Bump

预制 IMC 层对带有焊料盖帽铜柱凸块的外围超细间距 C2 倒装芯片互连电迁移的影响

• 发表时间: 2011
• 期刊: Proc. of International Micorsystems, Packaging, Assembly and Circuit Technology Conference 2011 (IMPACT2011)
• 作者: Y.Orii;K.Toriyama;S.Kohara;H.Noma;K.Okamoto;D.Toyoshima and K.Uenishi
• 通讯作者: D.Toyoshima and K.Uenishi