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Effect of Third Element Addition on Eutectic Microstructure of Lead Free Low Temperature Sn-Bi Based Solders

Effect of Third Element Addition on Eutectic Microstructure of Lead Free Low Temperature Sn-Bi Based Solders
第三元素添加对无铅低温锡铋基焊料共晶组织的影响
批准号:
19560728
负责人:
UENISHI Keisuke
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2007
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 2008

项目摘要

项目成果

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Sn-Bi共晶系はんだは、その融点が140℃と低いため、低温実装用材料として期待されている。しかし、その延性が乏しいことが実用化の阻害要因となっており、その改善が求められている。研究者らはこれまで、Sn-Bi共晶はんだに1mass%以下のAgを添加することにより、共晶組織を微細化し、延性を改善することができることを報告した。またAg以外にはCu、Geなどの元素を添加することによっても同様な微細化効果があることが確認された更に添加元素としてSbを添加量を1mass%以下に制御することにより、比較的遅い冷却速度においてもSn/Biの共晶組織を著しく微細化することが明らかとなった。この材料は引張り試験による伸びが40%以上と、従来のSn-Pb共晶はんだよりも延性にすぐれ、かつ融点が140℃前後の新しい低融点はんだ材料として有望であることが確認された。Sb添加が有効である要因としては、元素添加により新たに形成する金属間化合物相が、他の添加元素では晶出によって形成されるため、ローカルには粗大化したものが形成されやすいのに対して、Sbを添加したときに形成するSnSb相は過飽和なSn固溶体から析出するため、微細にSnとBiの粒界に分散するためであることが、計算状態図による熱力学的考察により明らかとなったこの開発したSn-Bi-SbはんだBGAボールを用いて、Cu基板との接合を行ったところ、160℃という従来のはんだ材料の場合よりも低温のリフローで接合が可能でバンププル引張り試験によっても高い引張り強度を示すなど、その接合性も良好であることが確認された
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
低応力実装に向けたSn-Bi低温接合技術電子情報通信学会論文誌C
用于低应力安装的 Sn-Bi 低温键合技术 IEICE Journal C
DOI: --
发表时间: 2008
期刊: Vol.Jgl-C, No.11
影响因子: --
作者: [作山誠樹, 赤松俊也, 上西啓介, 佐藤武彦]
通讯作者: 佐藤武彦
Sn-Bi共晶はんだへの第三元素添加効果第18回マイクロエレクトロニクスシンポジゥム
Sn-Bi共晶焊料中添加第三种元素的影响第十八届微电子学研讨会
DOI: --
发表时间: 2008
期刊:
影响因子: --
作者: [金児仁史, 鳥居久範, 赤松俊也, 作山誠樹, 上西啓介, 佐藤武彦]
通讯作者: 佐藤武彦
Sn-Bi共晶はんだへの第三元素添加効果
在 Sn-Bi 共晶焊料中添加第三种元素的影响
DOI: --
发表时间: 2008
期刊: 第18回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(MES2008)論文集 Vol.18
影响因子: --
作者: [金児仁史, 鳥居久範, 赤松俊也, 作山誠樹, 上西啓介, 佐藤武彦]
通讯作者: 佐藤武彦
DOI: --
发表时间: 2007
期刊: Proceedings of International Conference on Electronics Packaging, 2007
影响因子: --
作者: [Keisuke Uenishi, H.Torii, S.Nakajima, T.Akamatsu, S.Sakuyama and Takehiko Sato]
通讯作者: S.Sakuyama and Takehiko Sato
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    Investugation of Electro-migration Behavior in Solder Joints
    • 批准号:
      22560722
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.5万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      UENISHI Keisuke
    • 依托单位:
    Dvelopment of Sn-Bi Based Low Temperature Solders which Enables Step Soldering
    • 批准号:
      17560633
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2005
    • 负责人:
      UENISHI Keisuke
    • 依托单位:
    Control of Interfacial Reaction in the Dissimilar Joints Using Shape Memory Alloy Thin Wires for the Fabrication of Medical Devices Inserted in Blood Vessel
    • 批准号:
      14550703
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $2.3万
    • 财政年份:
      2002
    • 负责人:
      UENISHI Keisuke
    • 依托单位:
    海外基金