Control of embedded Si nanocrystals in SiO2 by ion and laser beams
Control of embedded Si nanocrystals in SiO2 by ion and laser beams
通过离子和激光束控制 SiO2 中嵌入的硅纳米晶体
批准号：
22604002
负责人：
IWAYAMA Tsutomu
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2010 至 2012
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英文摘要
In this work, the potentialities of excimer UV-light irradiation and rapid thermal annealing to enhance the photoluminescence and to achieve low temperature formation of Si nanocrystals have been investigated. The implanted samples were subsequently irradiated with an excimer-UV lamp. After the process, the samples were rapidly thermal annealed before furnace annealing. We found that the luminescence intensity is strongly enhanced with excimer-UV irradiation and RTA.
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Si nanocrystals formation in SiO2 on Si by Si ion implantation: The effects of RTA, excimer-UV and e-beam irradiation.
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
通过硅离子注入在硅上的 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA、准分子紫外和电子束辐射的影响。
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Lim, YM, Yamasaki, Y., Tsuda L., T.S.Iwayama, Tsuda L., T.S. Iwayama]
通讯作者：
T.S. Iwayama
Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶初始形成过程的影响
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶初始形成过程的影响
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Transa.Mater.Res.Soc.Jpn
影响因子：
--
作者：
[Lim, YM, Yamasaki, Y., Tsuda L., T.S.Iwayama]
通讯作者：
T.S.Iwayama
Si nanocrystals formation in SiO2 by ion implantation : The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence.
通过离子注入在 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA 和 UV 照射对光致发光的影响。
通过离子注入在 SiO2 中形成硅纳米晶体：RTA 和 UV 照射对光致发光的影响。
DOI：
10.1016/j.vacuum.2011.12.013
发表时间：
2012
期刊：
Vacuum
影响因子：
4
作者：
[Y.Oba, M.Ohnuma, S.Ohnuma, M.Furusaka, Lim Young-Mi, T.S.Iwayama]
通讯作者：
T.S.Iwayama
Excimer UV-light irradiation effects on the initial formation process of implanted luminescent Si nanocrystals.
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶体初始形成过程的影响。
准分子紫外光照射对注入发光硅纳米晶体初始形成过程的影响。
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
Transa. Mater. Res. Soc. Jpn
影响因子：
--
作者：
[T.S.Iwayama, H.Watanabe, S.Fukaya,T.Hama and D.E.Hole]
通讯作者：
S.Fukaya,T.Hama and D.E.Hole
Influence of UV irradiation and RTA process on optical properties of Si implanted SiO2.
UV 照射和 RTA 工艺对 Si 注入 SiO2 光学性能的影响。
UV 照射和 RTA 工艺对 Si 注入 SiO2 光学性能的影响。
DOI：
10.1016/j.nimb.2010.05.089
发表时间：
2010
期刊：
Nucl. Instrum. Methods B
影响因子：
--
作者：
[T.S.Iwayama, T.Hama, D.E.Hole]
通讯作者：
D.E.Hole
共 8 条
Control of microstructures of silicon nanocrystals by ion implantation and their application for optical devices.
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批准号：17510098
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2005
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负责人：IWAYAMA Tsutomu
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依托单位：
Control of microstructures of semiconductor nanocrystals by ion implantation and their application for optical materials
-
批准号：15510100
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2003
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负责人：IWAYAMA Tsutomu
-
依托单位：
海外基金