Anionensubstitution beim reaktiven Sputtern von Zr- und Zn-Oxidnitriden

在Zirkon-and Zinkoxn氮化锌衬底温度下，用直流磁控溅射技术取代了Sauerstoffanion的晶片。从具体的角度来看，这是一种新的科学方法，它的参数是Wie b.den Partialdrücken der prozeügase and der Resultierden Schichtstöchimille erarbeitet and MIT热力学模型。Für Die so reproduzierbar herstellbaren Oxidnungen Sollen Strukturelle，Optische，Elektronische and Machische Eigenschaften ALS Funktion der Stöchitome geessen and MIT Dichtetefunktionalrechnungen verglichen.他说：“这是一件很重要的事情，因为这是一件很重要的事情。”

Ziel der Untersuchungen ist die gezielte Substitution von Sauerstoffanionen durch Stickstoffionen bei niedrigen Substrattemperaturen in Zirkon- und Zinkoxidnitriden durch reaktives DC-Magnetron-Sputtern. Dabei soll ein detailliertes Verständnis der Korrelation von Depositionsparametern wie z. B. den Partialdrücken der Prozeßgase und der resultierenden Schichtstöchiometrie erarbeitet und mit thermodynamischen Modellen verglichen werden. Für die so reproduzierbar herstellbaren Oxidnitride sollen strukturelle, optische, elektronische und mechanische Eigenschaften als Funktion der Stöchiometrie gemessen und mit Dichtefunktionalrechnungen verglichen werden. Damit soll ein mikroskopisches Verständnis der Struktur-Eigenschaftsbeziehung der Oxidnitridschichten etabliert werden, das es erlauben sollte, das Potential dieser Schichten für optische und elektronische Anwendungen gezielt zu nutzen.