Improvement in efficiencies of light emitting devices by surface plasmon

通过表面等离子体激元提高发光器件的效率

• 批准号: 22686031
• 负责人: INOUE Shigeru
• 金额: $ 9.82万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22686031/
• 关键词: III族窒化物半導体; III族窒化物; 表面プラズモン

Improvement in efficiencies of green light emitting devices is highly required. Surface plasmon is a promising candidate to solve this problem. In this research, the use of semiconductors fabricated by pulsed sputtering deposition techniques and metal films enable us to improve efficiencies of green light emitting devices.

迫切需要提高绿光发射器件的效率。表面等离子体激元是解决这个问题的有希望的候选者。在这项研究中，使用脉冲溅射沉积技术制造的半导体和金属薄膜使我们能够提高绿光发射器件的效率。

项目成果

PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性

PSD法制备AlGaN/GaN异质结构的电学性能

• 发表时间: 2011
• 作者: Takayuki Kobayashi;Hirofumi Shintaku and Satoyuki Kawano;丹所昂平,田村和也,井上茂,太田実雄,藤岡洋
• 通讯作者: 丹所昂平,田村和也,井上茂,太田実雄,藤岡洋

金属基板上への窒化物半導体低温成長

金属衬底上氮化物半导体的低温生长

• 发表时间: 2012
• 期刊: 日本結晶成長学会誌
• 作者: 井上茂;太田実雄;小林篤;藤岡洋
• 通讯作者: 藤岡洋

PSD法によるAlGaN/GaN HEMT構造の特性

PSD法AlGaN/GaN HEMT结构的特性

• 发表时间: 2012
• 作者: Yuki Nagata;Yasuhiro Mizutani;Tetsuo Iwata;Yukitoshi Otani;丹所昂平,井上茂,太田実雄,藤岡洋
• 通讯作者: 丹所昂平,井上茂,太田実雄,藤岡洋

フルカラーInGaN発光ダイオードの作製と評価

全色InGaN发光二极管的制作与评估

• 发表时间: 2011
• 作者: Kenji NAKAMURA,Jun Yoshida;Osamu Ichinokura;長田悠希,水谷康弘,岩田哲郎,大谷幸利;田村和也,太田実雄,丹所昂平,小林篤,井上茂,藤岡洋
• 通讯作者: 田村和也,太田実雄,丹所昂平,小林篤,井上茂,藤岡洋