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Fabrication of single crystalline FBAR by the use of pulsed sputtering deposition

Fabrication of single crystalline FBAR by the use of pulsed sputtering deposition
脉冲溅射沉积法制备单晶 FBAR
批准号：
20760209
负责人：
INOUE Shigeru
金额：
$2.58万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2008
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2008 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760209/
关键词：
結晶成長FBAR

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项目成果

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The use of single crystalline films for FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) enhance the performance. In this study, AlN were grown on Si substrates by the use of pulsed sputtering deposition techniques with high-throughput. Cracks are introduced to AlN films in the case of direct growth on Si substrates. Superlattice layers enable us to obtain single crystalline AlN films without any cracks on Si substrates.
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会议论文
GaN/HfN/Si(110)ヘテロ構造の作製と界面の評価
GaN/HfN/Si(110)异质结构的制备及界面评估
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士]
通讯作者： 伊勢村雅士
Epitaxial growth of GaN on single-crystal Mo substrates using HfN buffer layers
DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2008.11.097
发表时间： 2009-02
期刊： Journal of Crystal Growth
影响因子： 1.8
作者： [K. Okamoto;S. Inoue;T. Nakano;J. Ohta;H. Fujioka]
通讯作者： K. Okamoto;S. Inoue;T. Nakano;J. Ohta;H. Fujioka
GaN/HfN/Si(110)へテロ構造の作製と界面の評価
GaN/HfN/Si(110)异质结构的制备及界面评估
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [宋顕成, 井上茂, 太田実雄, 藤岡洋, 伊勢村雅士]
通讯作者： 伊勢村雅士
Rh(111)基板上へエピタキシャル成長したAlGaNの面内配向関係
Rh(111)衬底上外延生长AlGaN的面内取向关系
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [岡野雄幸, 井上茂, 上野耕平, 小林篤, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治]
通讯作者： 尾嶋正治
Community-wide campaign for population-based promotion of physical activity: a cluster randomized controlled trial
  • 批准号：
    25282209
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.82万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    INOUE Shigeru
  • 依托单位：
    Tokyo Medical University
Improvement in efficiencies of light emitting devices by surface plasmon
  • 批准号：
    22686031
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $9.82万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    INOUE Shigeru
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Association of neighborhood environments with physical activity, trip and social participation among older adults
  • 批准号：
    20500604
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.83万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    INOUE Shigeru
  • 依托单位：
    Tokyo Medical University
Environmental Determinants of Walking for Various Purposes
  • 批准号：
    17590556
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    INOUE Shigeru
  • 依托单位：
    Tokyo Medical University
国内基金
海外基金
面向5G通信的超高频FBAR耗散机理和耗散稳定性研究
  • 批准号：
    12302200
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    朱峰
  • 依托单位：
    南京航空航天大学
基于单晶LiTaO3的柔性横向场激励FBAR器件及单片集成技术研究
  • 批准号：
    62301170
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    薛艳梅
  • 依托单位：
    广东工业大学
毫米波硅基钡锌铁钪氧化物功能薄膜FBAR芯片滤波器机理与模型研究
  • 批准号：
    62301463
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    曹鑫
  • 依托单位：
    西南科技大学
基于压电电子学效应的可调谐FBAR工作机理研究及其应用
  • 批准号：
    12102183
  • 项目类别：
    青年科学基金项目（C类）
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2021
  • 负责人：
    李念
  • 依托单位：
    南京航空航天大学