Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO

在即将推出的磁半导体ZnO：X的项目中，韦尔登将得到详细介绍。钒和钴的磁性的理论研究ZnO具有铁磁性。第二次在日本进行的实验结果表明，居里温度为z.B. ZnVO在达特温度为30万摄氏度。ZnVO中的铁磁现象破坏了电子的稳定性，并且这种现象是相对温和的。Deshalb wäre magnetisches ZnO：X ein idealer Kandidat für spinelektronische Bauelemente.一个巨大的Vorteil在Vergleich zu. B. GaMnN也是一种独特的磁本征和极化控制，ZnO中的磁离子是等电子的。在本项目中，ZnO：X是一种具有磁性的韦尔登。Spinelektronische Bauelemente sollen detailliert analysiert und konkrete Konzepte für eine Anwendung erarbeitet und umgesetzt韦尔登.

Im vorliegenden Projekt soll der magnetische Halbleiter ZnO:X detailliert untersucht werden. Theoretische Rechnungen zu Vanadium- und Cobalt-dotiertem magnetischem ZnO setzen ferromagnetisches Verhalten voraus. Außerdem deuten erste experimentelle Ergebnisse aus Japan darauf hin, dass Curie-Temperaturen von z.B. ZnVO in der Tat weit oberhalb 300K liegen. Darüberhinaus - und dies ist hier entscheidend - wird der Ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stabilisiert, und dies schon bei relativ moderaten Dotierkonzentrationen. Deshalb wäre magnetisches ZnO:X ein idealer Kandidat für spinelektronische Bauelemente. Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN wäre auch die unabhängige Kontrolle über magnetische Eigenschaften und Dotierung, da magnetische Ionen in ZnO isoelektronisch sind. Im beantragten Projekt soll magnetisches ZnO:X mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden. Spinelektronische Bauelemente sollen detailliert analysiert und konkrete Konzepte für eine Anwendung erarbeitet und umgesetzt werden.