Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO

在vorliegenden项目中，我们销售了磁性Halbleiter氧化锌：X细节材料。钒钴铁磁方案的理论研究。auu ßerdem deuten erste experimentelle Ergebnisse aus Japan darauf hin, dass Curie-Temperaturen von z.B. ZnVO in der the wehaha300k liegen。dar<s:1> berhinaus - und dies ist hier entscheidend - wid der Ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stabilisiert, und dies schon bei relatimoderaten Dotierkonzentrationen。Deshalb wäre magnetisches ZnO:X - in ideidealer candidate [r] spinelektronische Bauelemente。Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN wäre auch die unabhängige controlle <e:1> ber的磁特征特性和Dotierung， da ZnO等电子介质中的磁离子。研究了氧化锌：X纳米粒子的分子磁性，并对其进行了研究。分析与分析：分析与分析：分析与分析：分析与分析：分析与分析：分析与分析：分析与分析：分析与分析

Im vorliegenden Projekt soll der magnetische Halbleiter ZnO:X detailliert untersucht werden. Theoretische Rechnungen zu Vanadium- und Cobalt-dotiertem magnetischem ZnO setzen ferromagnetisches Verhalten voraus. Außerdem deuten erste experimentelle Ergebnisse aus Japan darauf hin, dass Curie-Temperaturen von z.B. ZnVO in der Tat weit oberhalb 300K liegen. Darüberhinaus - und dies ist hier entscheidend - wird der Ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stabilisiert, und dies schon bei relativ moderaten Dotierkonzentrationen. Deshalb wäre magnetisches ZnO:X ein idealer Kandidat für spinelektronische Bauelemente. Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN wäre auch die unabhängige Kontrolle über magnetische Eigenschaften und Dotierung, da magnetische Ionen in ZnO isoelektronisch sind. Im beantragten Projekt soll magnetisches ZnO:X mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden. Spinelektronische Bauelemente sollen detailliert analysiert und konkrete Konzepte für eine Anwendung erarbeitet und umgesetzt werden.