Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO

室温自旋电子学：基于 ZnO 的磁性半导体

• 批准号: 5400472
• 负责人: Professor Dr. Andreas Waag
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Halbleitertechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5400472?language=en
• 关键词: Room; temperature; spin; electronics; magnetic

Im vorliegenden Projekt soll der magnetische Halbleiter ZnO:X detailliert untersucht werden. Theoretische Rechnungen zu Vanadium- und Cobalt-dotiertem magnetischem ZnO setzen ferromagnetisches Verhalten voraus. Außerdem deuten erste experimentelle Ergebnisse aus Japan darauf hin, dass Curie-Temperaturen von z.B. ZnVO in der Tat weit oberhalb 300K liegen. Darüberhinaus - und dies ist hier entscheidend - wird der Ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stabilisiert, und dies schon bei relativ moderaten Dotierkonzentrationen. Deshalb wäre magnetisches ZnO:X ein idealer Kandidat für spinelektronische Bauelemente. Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN wäre auch die unabhängige Kontrolle über magnetische Eigenschaften und Dotierung, da magnetische Ionen in ZnO isoelektronisch sind. Im beantragten Projekt soll magnetisches ZnO:X mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden. Spinelektronische Bauelemente sollen detailliert analysiert und konkrete Konzepte für eine Anwendung erarbeitet und umgesetzt werden.

我将介绍有关 Magnetische Halbleiter ZnO:X 的项目，详细说明如下。钒和钴磁学理论研究 ZnO 铁磁性研究。日本的居里温度测量仪der Tat weit oberhalb 300K 列根中的 ZnVO。 Darüberhinaus - 和 dies ist hier entscheidend - Wird der ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stableisiert, und dies schon bei relativ bei relativ midn Dotierkonzentrationen. Deshalb 是磁性 ZnO:X 的理想代表，是脊柱电子元件的理想选择。 Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN 是 ZnO 等电学中的磁性控制和磁力控制装置。我的项目是磁性 ZnO:X mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden。 Spinelektronische Bauelemente Sollen 详细分析和咨询，以供您进行分析和管理。