Untersuchung des Ausheilverhaltens von ZnO: Implantation und Quasi-Substrate

ZnO 退火行为的研究：注入和准衬底

• 批准号: 5348914
• 负责人: Professor Dr. Andreas Waag
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Halbleitertechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5348914?language=en
• 关键词: Untersuchung; des; Ausheilverhaltens; von; ZnO

Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll im Rahmen dieses Projektes in zweierlei Hinsicht untersucht bzw. ausgenutzt werden. Es soll eienrseits die Implantation mit nachfolgendem Ausheilen der ZnO-Schichten detailliert untersucht werden. Ziel ist es, die der p-Dotierung zu Grunde liegende Mechanismen sowie kritische Parameter für eine Implantations-Technologie im ZnO-Materialsystem aufzuklären bzw. zu erarbeiten, um möglichst weitgehende Freiheiten bei der Kontrolle der elektrischen Eigenschaften zu erhalten. Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll darüber hinaus zur Herstellung von Quasi-Substraten genutzt werden. Zur Herstellung von Quasi-Substraten werden Schichten auf preiswerte Substrate mit allerdings meist hoher Gitterfehlpassung aufgebracht. Die Qualität der aufgewachsenen Schichten kann durch geeignete Verfahren optimiert werden. Hierdurch könnten z.B. auch Silizium - versehen mit geeigneten Pufferschichten aus ZnO - als Unterlage für die Epitaxie von Halbleiter-Bauelementen auf ZnO-Basis dienen. Bei der Herstellung von alternativen Quasi-Substraten spielt wiederum das attraktive Ausheilverhalten von amorphen oder polykristallinen ZnO-Schichten eine wichtige Rolle. Als Materialbasis dienen ZnO-Schichten und MgZnO-CdZnO-Heterostrukturen, die mittels MOCVD im Rahmen dieses Projekt hergestellt werden sollen.

ZnO在两个项目中具有吸引力的优势。奥氏体韦尔登。这是一个很好的植入方法，可以在氧化锌-Schichten韦尔登中进行。Ziel is es，die der p-Dotierung zu Grunde liegende Mechanismen sowie kritische Parameter für eine Implantations-Technology im ZnO-Materialsystem aufzuklären bzw. zu erarbeiten，um möglichst weitgehende Freiheiten bei der Kontrolle der elektrischen Eigenschaften zu erhalten. ZnO的这种吸引人的特性使其在准衬底韦尔登上的应用成为可能。准衬底的形成主要是在预处理衬底上进行的。通过最佳的韦尔登，可以获得较好的测试质量。Hierdurch könnten zB也可以使用ZnO上的多孔硅进行外延生长。在替代准衬底的情况下，非晶或多晶ZnO-Schichten的吸引力很大。以ZnO-Schichten和MgZnO-CdZnO-Heterostructuren为材料基础，研究了MOCVD在该项目中的应用。