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Untersuchung des Ausheilverhaltens von ZnO: Implantation und Quasi-Substrate

Untersuchung des Ausheilverhaltens von ZnO: Implantation und Quasi-Substrate
ZnO 退火行为的研究:注入和准衬底
批准号:
5348914
负责人:
Professor Dr. Andreas Waag
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2004-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这句话的意思是:“这是一种很吸引人的方式。”在此基础上进行了详细的氧化锌-施希登材料的植入实验。这是,模具和p-Dotierung zu Grunde Liegende机械师Sowie kritische参数für eine植入-技术在氧化锌-材料系统aufzuklären bzw.zu erarbeiten,嗯möglichst weitgehende freiheiten beder der Kontrolle der elektrischen Eigenschaften zu erhalten。这是一种具有吸引性的氧化锌溶胶和准衬底材料。Zur Herstellung von准底物是Schichten auf preiswarte底物的过敏反应。他说:“这是一件非常好的事情。HIERDURCH Könnnten z.B.Auch Silizium-versehen MIT Geeigneten Pufferschichten Aus ZnO-ALS Unterlage für die Ebitaxie von Halbleiter-Bauelementen auf ZnO-base dienen.这是一种交替的准衬底尖晶石,具有很强的吸引性,它是一种非晶态聚合物。此外,材料的基础是氧化锌-施希滕和镁-镉-氧化锌-异质结晶器,模具手套在拉曼柴油项目中被发现。
英文摘要
Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll im Rahmen dieses Projektes in zweierlei Hinsicht untersucht bzw. ausgenutzt werden. Es soll eienrseits die Implantation mit nachfolgendem Ausheilen der ZnO-Schichten detailliert untersucht werden. Ziel ist es, die der p-Dotierung zu Grunde liegende Mechanismen sowie kritische Parameter für eine Implantations-Technologie im ZnO-Materialsystem aufzuklären bzw. zu erarbeiten, um möglichst weitgehende Freiheiten bei der Kontrolle der elektrischen Eigenschaften zu erhalten. Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll darüber hinaus zur Herstellung von Quasi-Substraten genutzt werden. Zur Herstellung von Quasi-Substraten werden Schichten auf preiswerte Substrate mit allerdings meist hoher Gitterfehlpassung aufgebracht. Die Qualität der aufgewachsenen Schichten kann durch geeignete Verfahren optimiert werden. Hierdurch könnten z.B. auch Silizium - versehen mit geeigneten Pufferschichten aus ZnO - als Unterlage für die Epitaxie von Halbleiter-Bauelementen auf ZnO-Basis dienen. Bei der Herstellung von alternativen Quasi-Substraten spielt wiederum das attraktive Ausheilverhalten von amorphen oder polykristallinen ZnO-Schichten eine wichtige Rolle. Als Materialbasis dienen ZnO-Schichten und MgZnO-CdZnO-Heterostrukturen, die mittels MOCVD im Rahmen dieses Projekt hergestellt werden sollen.
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专著(0)
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会议论文
3D Concepts for Gallium-Nitride Electronics
  • 批准号:
    284575374
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Single GaN Nanorod Light Emitters and their Interaction with their Environment
  • 批准号:
    213540062
  • 项目类别:
    Research Units
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Dotierung von ZnO zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen im UV Spektralbereich
  • 批准号:
    17998661
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO
  • 批准号:
    5400472
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于碱性DES辅助杜仲胶提取过程中杜仲胶解离机制的研究
  • 批准号:
    2026JJ80731
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    龚卫华
  • 依托单位:
石榴皮DES提取物智能响应微胶囊的构建、保鲜功效与食品安全性评价研究
  • 批准号:
    2026JJ80861
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    李雅丽
  • 依托单位:
DES真空蚀刻装置的升级改造及制造工艺优化
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    李微
  • 依托单位:
DES影响下RXFP2 参与小鼠睾丸引带细胞增殖迁移的信号通路研究
  • 批准号:
    2025JJ80600
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    唐水平
  • 依托单位: