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Dotierung von ZnO zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen im UV Spektralbereich

Dotierung von ZnO zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen im UV Spektralbereich
用于生产紫外光谱范围内光电元件的 ZnO 掺杂
批准号:
17998661
负责人:
Professor Dr. Andreas Waag
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2005
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2004-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
可供选择的材料和潜在的干预者材料是氧化锌。我们的氧化锌基片技术已经存在,但它的实质是。氧化锌是一种生物兼容性,在格罗昂和普雷斯韦特。在下一个温度下,Zusätzlich kann ZnO im Gegensatz zu Gan auch.在Verbindung麻省理工学院的有机LED(OLED)中,氧化锌一直是透明的电子产品。Bisher Galt Die p-Dotierung von ZnO Als noch nch nht Gelöst.他说:“这是一项重要的工程,它是一项重要的工程,它是一项重要的工程。”日本仙台川崎县川崎大学的一位教授。您的位置:我也知道>教育/教育>教育/职业教育/科学研究。他说:“这是一件非常重要的事情,因为这是一件非常重要的事情。”大北钢结构质量为氧化锌-石墨烯胶辊。这是一种非常好的选择,它是以氧化锌发光二极管为基础的,而且是真正的和最好的。
英文摘要
Ein alternatives und potentiell sehr interessantes Material zur Herstellung von lichtemittierenden Bauelementen für den sichtbaren und insbesondere den UV Spektralbereich ist Zinkoxid (ZnO). Eine ZnO-basierte Technologie hätte im Gegensatz zu einer existierenden GaN-Technologie verschiedene substantielle Vorteile. ZnO ist biokompatibel, in großen Mengen erhältlich und preiswert. Zusätzlich kann ZnO im Gegensatz zu GaN auch in Niedertemperatur-Prozessen hergestellt werden. Dies macht ZnO auch interessant für transparente Elektronik z.B. auf Plastik-Substraten und in Verbindung mit organischen LEDs (OLEDs). Bisher galt die p-Dotierung von ZnO als noch nicht gelöst. Ziel des vorliegenden Projektes ist es, die p-Dotierung von ZnO reproduzierbar zu realisieren und insbesondere in optoelektronischen, lichtemittierenden Bauelementen einzusetzen. Dabei steht die Antragstellung in engem Zusammenhang mit einem Durchbruch bei der p-Dotierung in der Arbeitsgruppe von Prof. Kawasaki, Sendai, Japan. Dieser Gruppe gelang es vor kurzem erstmalig, mittels MBE p-dotierte ZnO-Schichten herzustellen. Es konnten auch p-n-Dioden hergestellt werden, deren Strom- Spannungs-Kennlinie und Elektrolumineszenz neben den Transportmessungen eindeutig die reproduzierbare p-Dotierung von ZnO anzeigen. Dabei spielt die strukturelle Qualität der ZnO-Schichten eine wichtige Rolle. Diese soll deshalb zunächst optimiert werden, bevor dann die p-Dotierung von ZnO untersucht wird, um auf dieser Basis dann ZnO-LEDs zu realisieren und zu optimieren.
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会议论文
3D Concepts for Gallium-Nitride Electronics
  • 批准号:
    284575374
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2016
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Single GaN Nanorod Light Emitters and their Interaction with their Environment
  • 批准号:
    213540062
  • 项目类别:
    Research Units
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO
  • 批准号:
    5400472
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2003
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
Untersuchung des Ausheilverhaltens von ZnO: Implantation und Quasi-Substrate
  • 批准号:
    5348914
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2001
  • 负责人:
    Professor Dr. Andreas Waag
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
半有限von Neumann代数中投影集上的Wigner定理
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
    钱文华
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  • 批准号:
    82302106
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
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  • 批准号:
    12271074
  • 项目类别:
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  • 资助金额:
    45万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
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  • 批准号:
    12001420
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    王美丽
  • 依托单位: