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Growth of highly oriented h-BN single crystal by chemical vapor deposition method

Growth of highly oriented h-BN single crystal by chemical vapor deposition method
化学气相沉积法生长高取向h-BN单晶
批准号：
23310096
负责人：
WATANABE Kenji
金额：
$11.9万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23310096/
关键词：
結晶工学六方晶窒化ホウ素グラフェン原子層科学結晶成長気相成長格子欠陥電子デバイス原子層物理配向性基板気相成長法

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
六方氮化硼（h-BN）具有二维平面层状结构，由氮原子和硼原子在sp2键中组成，是一种经过验证的有效的原子层材料，包括石墨烯，因为它具有原子光滑的表面，相对没有悬空键和电荷陷阱。然而，为了实现原子层器件，hBN的单晶生长技术至关重要。在本研究中，我们采用高生长温度的化学气相沉积方法在大块h-BN衬底上实现了高质量的h-BN同外延生长。
英文摘要
Hexagonal boron nitride (h-BN), which has a 2D-plane layered structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding, is a proven and effective substrate for atomic layer materials including graphene, because it has an atomically smooth surface that is relatively free of dangling bonds and charge traps.However, to realize atomic layer devices, the single-crystalline growth technique for hBN is of great importance. In this study, we achieved high quality h-BN homoepitaxial growth on the bulk h-BN substrate by employing chemical vapor deposition methods with high-growth temperature.
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会议论文
Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess
溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [谷口尚, 渡邊賢司]
通讯作者： 渡邊賢司
Excitonic fluorescence for hBN single-crystal powder
六方氮化硼单晶粉末的激子荧光
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [佐藤慎一, 石川冬樹, 猪原健弘, 渡邊賢司, 横山壽一, Kenji Watanabe]
通讯作者： Kenji Watanabe
サイエンス誌に載った日本人研究者2013、2次元的物質との1次元的電気接触
日本研究人员2013年在《科学》杂志上发表一维与二维材料的电接触
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [渡邊賢司, 谷口尚]
通讯作者： 谷口尚
高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開
高压合成法高纯氮化硼单晶研究现状及新应用进展
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Shinozaki, T. Honma, T. Komatsu, 渡邊賢司]
通讯作者： 渡邊賢司
共 50 条
    A crosstalk between RNA metabolic pathway and DNA damage response involved in the mechanism of cancer growth
    • 批准号：
      20K07578
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Japanese Foundation for Cancer Research
    Mechanism of antiproliferative action in cancer cells targeting nucleolar function
    • 批准号：
      19K23927
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Japanese Foundation for Cancer Research
    Homoepitaxial growth of hexagonal boron nitride on high quality HPHT substrates
    • 批准号：
      17H02748
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Development of gradual childcare programs promoting mutual trust against puberty child
    • 批准号：
      16K04398
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.0万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Kogakkan University
    海外基金