Growth of highly oriented h-BN single crystal by chemical vapor deposition method

化学气相沉积法生长高取向h-BN单晶

• 批准号: 23310096
• 负责人: WATANABE Kenji
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23310096/
• 关键词: 結晶工学; 六方晶窒化ホウ素; グラフェン; 原子層科学; 結晶成長; 気相成長; 格子欠陥; 電子デバイス; 原子層物理; 配向性基板; 気相成長法

Hexagonal boron nitride (h-BN), which has a 2D-plane layered structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding, is a proven and effective substrate for atomic layer materials including graphene, because it has an atomically smooth surface that is relatively free of dangling bonds and charge traps.However, to realize atomic layer devices, the single-crystalline growth technique for hBN is of great importance. In this study, we achieved high quality h-BN homoepitaxial growth on the bulk h-BN substrate by employing chemical vapor deposition methods with high-growth temperature.

H-BN是由氮原子和硼原子以sp2键合构成的二维层状结构，具有原子级光滑的表面，不存在悬空键和电荷陷阱，是石墨烯等原子层材料的有效衬底，但要实现原子层器件，H-BN的单晶生长技术至关重要。在本研究中，我们采用化学气相沉积法，在高温下，在体相h-BN衬底上实现了高质量的h-BN同质外延生长。

项目成果

Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess

溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶

• 发表时间: 2013
• 作者: 谷口尚;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司

Excitonic fluorescence for hBN single-crystal powder

六方氮化硼单晶粉末的激子荧光

• 发表时间: 2011
• 作者: 佐藤慎一;石川冬樹;猪原健弘;渡邊賢司;横山壽一;Kenji Watanabe
• 通讯作者: Kenji Watanabe

サイエンス誌に載った日本人研究者2013、2次元的物質との1次元的電気接触

日本研究人员2013年在《科学》杂志上发表一维与二维材料的电接触

• 发表时间: 2014
• 作者: 渡邊賢司;谷口尚
• 通讯作者: 谷口尚

高圧合成法による高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開

高压合成法高纯氮化硼单晶研究现状及新应用进展

• 发表时间: 2013
• 作者: K. Shinozaki;T. Honma;T. Komatsu;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司

Optical Properties of Boron Nitride Single Crystals

氮化硼单晶的光学性质

• 发表时间: 2013
• 作者: Zhang Y.;Sharma P.;Makino A.;K.Watanabe
• 通讯作者: K.Watanabe