Stability of surface contact for hexagonal boron nitride atomic layer

六方氮化硼原子层表面接触稳定性

• 批准号: 24651148
• 负责人: WATANABE Kenji
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24651148/
• 关键词: 結晶工学; ナノ材料; 半導体物性; 六方晶窒化ホウ素; 格子欠陥; 結晶成長; 原子層物理; 電子デバイス; 不純物ドーピング; ラマン散乱分光法

Hexagonal boron nitride (h-BN) is an insulator which has a 2D-plane crystalline structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding and which shows intense emission in the UV region. To realize the impurity doping for the control of electrical conduction, we studied the stability of both h-BN bulk crystals and atomic layers at high temperature up to 1300 degrees Celsius by employing a micro-Raman spectrograph system with a high temperature furnace. Single layer h-BN starts to oxidize at 700 degrees Celsius and can keep up at the temperature up to 850 degrees Celsius. Bilayer and trilayer BN nanosheets have slightly higher temperatures for oxidation, but the bulk crystals show the stable Raman spectra up to 1300 degrees Celsius.

六方氮化硼（h-BN）是具有由sp2键合的氮原子和硼原子构成的2D平面晶体结构并且在UV区域中显示出强发射的绝缘体。为了实现杂质掺杂对导电性的控制，我们采用带有高温炉的显微拉曼光谱仪系统研究了h-BN体晶和原子层在高达1300摄氏度的高温下的稳定性。单层h-BN在700摄氏度开始氧化，并可以保持在850摄氏度的温度。双层和三层BN纳米片具有稍高的氧化温度，但大块晶体显示出稳定的拉曼光谱高达1300摄氏度。

项目成果

Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess

溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶

• 发表时间: 2013
• 作者: 谷口尚;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司

グラフェンの特性を活かす六方晶窒化ホウ素基板～六方晶窒化ホウ素応用の進展開～NEW DIAMOND(Vol.104,No.1)

利用石墨烯特性的六方氮化硼基板 - 六方氮化硼的应用进展 - NEW DIAMOND (Vol.104, No.1)

• 发表时间: 2012
• 作者: 渡邊賢司;谷口尚
• 通讯作者: 谷口尚

Gate Dependent Raman Spectroscopy of Graphene on Hexagonal Boron Nitride

六方氮化硼上石墨烯的门相关拉曼光谱

• DOI: 10.1088/0953-8984/25/50/505304
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Phys. : Condens. Matter
• 作者: C. Kanokporn;K. Watanabe;T. Taniguchi 他3名
• 通讯作者: T. Taniguchi 他3名

高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッセンス像観察

高温高压法生长六方氮化硼单晶解理面的阴极发光图像观察

• 发表时间: 2013
• 作者: M. Kalbac;K. Watanabe;T. Taniguchi 他5名;渡邊賢司;渡邊賢司
• 通讯作者: 渡邊賢司

サイエンス誌に載った日本人研究者2011、六方晶窒化ホウ素基板により新しいグラフェンの特性を発見

日本研究人员在2011年《科学》杂志上发表文章，利用六方氮化硼基底发现石墨烯的新特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 渡邊賢司;谷口尚
• 通讯作者: 谷口尚