Stability of surface contact for hexagonal boron nitride atomic layer

六方氮化硼原子层表面接触稳定性

基本信息

  • 批准号:
    24651148
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Hexagonal boron nitride (h-BN) is an insulator which has a 2D-plane crystalline structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding and which shows intense emission in the UV region. To realize the impurity doping for the control of electrical conduction, we studied the stability of both h-BN bulk crystals and atomic layers at high temperature up to 1300 degrees Celsius by employing a micro-Raman spectrograph system with a high temperature furnace. Single layer h-BN starts to oxidize at 700 degrees Celsius and can keep up at the temperature up to 850 degrees Celsius. Bilayer and trilayer BN nanosheets have slightly higher temperatures for oxidation, but the bulk crystals show the stable Raman spectra up to 1300 degrees Celsius.
六方氮化硼(h-BN)是具有由sp2键合的氮原子和硼原子构成的2D平面晶体结构并且在UV区域中显示出强发射的绝缘体。为了实现杂质掺杂对导电性的控制,我们采用带有高温炉的显微拉曼光谱仪系统研究了h-BN体晶和原子层在高达1300摄氏度的高温下的稳定性。单层h-BN在700摄氏度开始氧化,并可以保持在850摄氏度的温度。双层和三层BN纳米片具有稍高的氧化温度,但大块晶体显示出稳定的拉曼光谱高达1300摄氏度。

项目成果

期刊论文数量(50)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess
溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷口尚;渡邊賢司
  • 通讯作者:
    渡邊賢司
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊賢司;谷口尚
  • 通讯作者:
    谷口尚
Gate Dependent Raman Spectroscopy of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
六方氮化硼上石墨烯的门相关拉曼光谱
  • DOI:
    10.1088/0953-8984/25/50/505304
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C. Kanokporn;K. Watanabe;T. Taniguchi 他3名
  • 通讯作者:
    T. Taniguchi 他3名
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kalbac;K. Watanabe;T. Taniguchi 他5名;渡邊賢司;渡邊賢司
  • 通讯作者:
    渡邊賢司
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊賢司;谷口尚
  • 通讯作者:
    谷口尚
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了