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Stability of surface contact for hexagonal boron nitride atomic layer

Stability of surface contact for hexagonal boron nitride atomic layer
六方氮化硼原子层表面接触稳定性
批准号：
24651148
负责人：
WATANABE Kenji
金额：
$2.58万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24651148/
关键词：
結晶工学ナノ材料半導体物性六方晶窒化ホウ素格子欠陥結晶成長原子層物理電子デバイス不純物ドーピングラマン散乱分光法

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Hexagonal boron nitride (h-BN) is an insulator which has a 2D-plane crystalline structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding and which shows intense emission in the UV region. To realize the impurity doping for the control of electrical conduction, we studied the stability of both h-BN bulk crystals and atomic layers at high temperature up to 1300 degrees Celsius by employing a micro-Raman spectrograph system with a high temperature furnace. Single layer h-BN starts to oxidize at 700 degrees Celsius and can keep up at the temperature up to 850 degrees Celsius. Bilayer and trilayer BN nanosheets have slightly higher temperatures for oxidation, but the bulk crystals show the stable Raman spectra up to 1300 degrees Celsius.
期刊论文(50)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess
溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [谷口尚, 渡邊賢司]
通讯作者： 渡邊賢司
グラフェンの特性を活かす六方晶窒化ホウ素基板～六方晶窒化ホウ素応用の進展開～NEW DIAMOND(Vol.104,No.1)
利用石墨烯特性的六方氮化硼基板 - 六方氮化硼的应用进展 - NEW DIAMOND (Vol.104, No.1)
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [渡邊賢司, 谷口尚]
通讯作者： 谷口尚
Gate Dependent Raman Spectroscopy of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
六方氮化硼上石墨烯的门相关拉曼光谱
DOI： 10.1088/0953-8984/25/50/505304
发表时间： 2013
期刊： J. Phys. : Condens. Matter
影响因子： --
作者： [C. Kanokporn, K. Watanabe, T. Taniguchi 他3名]
通讯作者： T. Taniguchi 他3名
高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッセンス像観察
高温高压法生长六方氮化硼单晶解理面的阴极发光图像观察
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Kalbac, K. Watanabe, T. Taniguchi 他5名, 渡邊賢司, 渡邊賢司]
通讯作者： 渡邊賢司
共 33 条
    A crosstalk between RNA metabolic pathway and DNA damage response involved in the mechanism of cancer growth
    • 批准号：
      20K07578
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Japanese Foundation for Cancer Research
    Mechanism of antiproliferative action in cancer cells targeting nucleolar function
    • 批准号：
      19K23927
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.83万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Japanese Foundation for Cancer Research
    Homoepitaxial growth of hexagonal boron nitride on high quality HPHT substrates
    • 批准号：
      17H02748
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      National Institute for Materials Science
    Development of gradual childcare programs promoting mutual trust against puberty child
    • 批准号：
      16K04398
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.0万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      WATANABE Kenji
    • 依托单位：
      Kogakkan University
    海外基金