Stability of surface contact for hexagonal boron nitride atomic layer

六方氮化硼原子层表面接触稳定性

基本信息

  • 批准号:
    24651148
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Hexagonal boron nitride (h-BN) is an insulator which has a 2D-plane crystalline structure composed of nitrogen and boron atoms in sp2 bonding and which shows intense emission in the UV region. To realize the impurity doping for the control of electrical conduction, we studied the stability of both h-BN bulk crystals and atomic layers at high temperature up to 1300 degrees Celsius by employing a micro-Raman spectrograph system with a high temperature furnace. Single layer h-BN starts to oxidize at 700 degrees Celsius and can keep up at the temperature up to 850 degrees Celsius. Bilayer and trilayer BN nanosheets have slightly higher temperatures for oxidation, but the bulk crystals show the stable Raman spectra up to 1300 degrees Celsius.
六方氮化硼(h-BN)是一种具有二维平面晶体结构的绝缘体,由sp2键中的氮和硼原子组成,在紫外区表现出强烈的发射。为了实现杂质掺杂对电导的控制,我们利用带高温炉的显微拉曼光谱仪系统研究了h-BN大块晶体和原子层在1300℃高温下的稳定性。单层h-BN在700摄氏度开始氧化,并可在高达850摄氏度的温度下保持氧化。双层和三层BN纳米片的氧化温度略高,但大块晶体的拉曼光谱稳定到1300摄氏度。

项目成果

期刊论文数量(50)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Synthesis of high purity hBN single crystals by using solvent growth p rocess
溶剂生长法合成高纯度六方氮化硼单晶
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷口尚;渡邊賢司
  • 通讯作者:
    渡邊賢司
グラフェンの特性を活かす六方晶窒化ホウ素基板~六方晶窒化ホウ素応用の進展開~NEW DIAMOND(Vol.104,No.1)
利用石墨烯特性的六方氮化硼基板 - 六方氮化硼的应用进展 - NEW DIAMOND (Vol.104, No.1)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊賢司;谷口尚
  • 通讯作者:
    谷口尚
Gate Dependent Raman Spectroscopy of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
六方氮化硼上石墨烯的门相关拉曼光谱
  • DOI:
    10.1088/0953-8984/25/50/505304
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    C. Kanokporn;K. Watanabe;T. Taniguchi 他3名
  • 通讯作者:
    T. Taniguchi 他3名
高温高圧法により育成した六方晶窒化ホウ素単結晶劈開面のカソードルミネッセンス像観察
高温高压法生长六方氮化硼单晶解理面的阴极发光图像观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kalbac;K. Watanabe;T. Taniguchi 他5名;渡邊賢司;渡邊賢司
  • 通讯作者:
    渡邊賢司
サイエンス誌に載った日本人研究者2011、六方晶窒化ホウ素基板により新しいグラフェンの特性を発見
日本研究人员在2011年《科学》杂志上发表文章,利用六方氮化硼基底发现石墨烯的新特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊賢司;谷口尚
  • 通讯作者:
    谷口尚
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

WATANABE Kenji其他文献

Enhanced Quantum Efficiency in Mixed-thickness ReS2/p-Si Schottky Photodiode
混合厚度 ReS2/p-Si 肖特基光电二极管的量子效率增强
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu
  • 通讯作者:
    NAKAHARAI Shu
2D van-der-Waals Multilayer-ReS2/h-BN/Graphene Heterostructures Based Non-Volatile Memory Device for IoT Era
物联网时代基于二维范德华多层ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的非易失性存储器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu
  • 通讯作者:
    NAKAHARAI Shu
Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures
基于四层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点器件的制备与表征
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab65a8
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Iwasaki Takuya;Kato Taku;Ito Hirohito;WATANABE Kenji;Taniguchi Takashi;Wakayama Yutaka;Hatano Tsuyoshi;Moriyama Satoshi
  • 通讯作者:
    Moriyama Satoshi
2D Materials and van-der-Waals Heterostructure based Optoelectronic Devices
二维材料和基于范德华异质结构的光电器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu
  • 通讯作者:
    NAKAHARAI Shu

WATANABE Kenji的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('WATANABE Kenji', 18)}}的其他基金

A crosstalk between RNA metabolic pathway and DNA damage response involved in the mechanism of cancer growth
RNA代谢途径和DNA损伤反应之间的串扰涉及癌症生长机制
  • 批准号:
    20K07578
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Mechanism of antiproliferative action in cancer cells targeting nucleolar function
靶向核仁功能的癌细胞抗增殖作用机制
  • 批准号:
    19K23927
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Homoepitaxial growth of hexagonal boron nitride on high quality HPHT substrates
在高质量 HPHT 衬底上同质外延生长六方氮化硼
  • 批准号:
    17H02748
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of gradual childcare programs promoting mutual trust against puberty child
制定渐进式儿童保育计划,促进青春期儿童的相互信任
  • 批准号:
    16K04398
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Support for Loss of control in people with Amyotrophic Lateral Sclerosis
支持肌萎缩侧索硬化症患者失去控制
  • 批准号:
    15K20783
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Study of substrates for h-BN single crystal growth by chemical vapor deposition method
化学气相沉积法h-BN单晶生长衬底的研究
  • 批准号:
    26286025
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Hydrogen Cyanide and Hydrogen Sulfide Receptors
氰化氢和硫化氢受体的开发
  • 批准号:
    25810106
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Identification of master regulator on TNBC malignant using TAT protein system
利用TAT蛋白系统鉴定TNBC恶性的主调控因子
  • 批准号:
    25893153
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Growth of highly oriented h-BN single crystal by chemical vapor deposition method
化学气相沉积法生长高取向h-BN单晶
  • 批准号:
    23310096
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Germ plasm of Xenopus is the determinant of germinal lineage
非洲爪蟾的种质是生殖谱系的决定因素
  • 批准号:
    23570259
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

Priceworx Ultimate+: A world-first AI-driven material cost forecaster for construction project management.
Priceworx Ultimate:世界上第一个用于建筑项目管理的人工智能驱动的材料成本预测器。
  • 批准号:
    10099966
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Collaborative R&D
XMaS: The National Material Science Beamline Research Facility at the ESRF
XMaS:ESRF 的国家材料科学光束线研究设施
  • 批准号:
    EP/Y031962/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Research Grant
Understanding Material Interactions and Effects on Polymicrobial Communities at Surfaces
了解材料相互作用和对表面多种微生物群落的影响
  • 批准号:
    BB/Y512412/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Training Grant
How Does Particle Material Properties Insoluble and Partially Soluble Affect Sensory Perception Of Fat based Products
不溶性和部分可溶的颗粒材料特性如何影响脂肪基产品的感官知觉
  • 批准号:
    BB/Z514391/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Training Grant
Highly Ce3+ - doped Glass Material for Advanced Photonic Devices
用于先进光子器件的高掺杂 Ce3 玻璃材料
  • 批准号:
    2310284
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Collaborative Research: Material Simulation-driven Electrolyte Designs in Intermediate-temperature Na-K / S Batteries for Long-duration Energy Storage
合作研究:用于长期储能的中温Na-K / S电池中材料模拟驱动的电解质设计
  • 批准号:
    2341994
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Standard Grant
強相関電子系ナノ材料の特異なひずみ感受性の解明と巨大な機械-電気応答性の創出
阐明强相关电子纳米材料的独特应变敏感性并创造巨大的机电响应
  • 批准号:
    23K22633
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
World in your hand: Investigating the underlying mechanism of thermal material recognition and its interaction with multisensory information
手中的世界:研究热材料识别的基本机制及其与多感官信息的相互作用
  • 批准号:
    23K24934
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノ材料で革新する軽量かつ紫外線劣化耐性に優れた乾漆技法の創出
利用纳米材料开发出具有优异的耐紫外线劣化性的轻质干漆技术
  • 批准号:
    24K08067
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Cutting-edge bio-material for 3D printed bone fixation plates
用于 3D 打印骨固定板的尖端生物材料
  • 批准号:
    24K20065
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了