Homoepitaxial growth of hexagonal boron nitride on high quality HPHT substrates

在高质量 HPHT 衬底上同质外延生长六方氮化硼

基本信息

  • 批准号：
    17H02748
  • 负责人：
    WATANABE Kenji
  • 金额：
    $ 11.81万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2017
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2017-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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物質・材料研究機構　研究者情報
国立材料科学研究所研究员信息
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
六方晶窒化ホウ素の発光機構解明のためのホモエピタキシャル成長
同质外延生长阐明六方氮化硼的发光机制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    渡邊 賢司;谷口 尚
  • 通讯作者：
    谷口 尚
Observation of impurity incorporated domain in h-BN single crystals
h-BN单晶中杂质掺入域的观察
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    渡邊賢司;谷口尚
  • 通讯作者：
    谷口尚
Deep UV photoluminescence microscopysystem for exploring luminous properties of hexagonal boron nitride crystals
用于探索六方氮化硼晶体发光特性的深紫外光致发光显微镜系统
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ueno;T. Teshima;C. Henderson;H. Nakashima;渡邊賢司
  • 通讯作者：
    渡邊賢司
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  • 通讯作者：
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  • 资助金额：
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    Continuing Grant
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  • 财政年份：
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  • 资助金额：
    $ 11.81万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了