Research on the analysis of the behaviour of circuits including memristors and its applications

包括忆阻器在内的电路行为分析及其应用研究

• 批准号: 23500072
• 负责人: OHTSUKI Masanobu
• 金额: $ 1.25万
• 依托单位: Fukushima National College of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23500072/
• 关键词: メムリスタ; 不揮発性メモリ; 多値メモリ; 可変論理回路

In this study we researched the applications of the Memristor which is the new electrical circuit element found in 2008. We have proposed the constitution methods for constructing the following three new devices, (1)a nonvolatile 2-values memory system, (2) a nonvolatile multi-valued memory system, (3) a variable logic circuit with less input control signals than before. In each case the LSI system made with the proposed ways can be directly embedded into the present computer systems.

在这项研究中，我们研究了Memristor的应用，该备忘录是2008年发现的新电路元件。我们提出了构造以下三个新设备的宪法方法，（1）非挥之不去的2值存储系统，（2）具有较小的多功能内存系统，（（3）具有较少的输入的可变性的逻辑系统，（3）比起之前的输入较少。在每种情况下，使用建议的方式制造的LSI系统可以直接嵌入到当前的计算机系统中。

项目成果

メムリスタを用いた不揮発性メモリシステムの構成

使用忆阻器配置非易失性存储器系统

• 发表时间: 2011
• 期刊: 福島高専研究紀要
• 作者: 大槻正伸;一ノ瀬 智浩;西内 拓也
• 通讯作者: 西内 拓也

メムリスタを用いた可変論理回路の構成

使用忆阻器的可变逻辑电路的配置

• 发表时间: 2013
• 期刊: 福島工業高等専門学校 研究紀要
• 作者: Masahiro Nambu;Takashi Kambe;Shuji Tsukiyama;佐々木大介，築山修治，松永真理子，高橋真吾;比嘉晋士，栗田知拓，築山修治;大槻 正伸
• 通讯作者: 大槻 正伸

メムリスタを用いた不揮発性多値メモリシステムの構成

使用忆阻器的非易失性多级存储系统的配置

• 发表时间: 2012
• 期刊: 福島高専研究紀要
• 作者: 大槻 正伸;一ノ瀬 智浩;西内 拓也
• 通讯作者: 西内 拓也