Korrelation von Metallwachstum auf molekularen organischen Halbleitern und elektronischen Eigenschaften

Die elektronischen Eigenschaften und Lebensdauer typischer organischen Feldeffekttransstoren hängen entscheidend von der Struktur und Stabilität der Grenzflächen zwischen organischem Halbleiter und Metallkontakten ab.一个问题是在半导体中的金属扩散的金属化过程中出现的。金属在分子半导体上的生长、吸收和扩散是一个韦尔登的项目。Zunächst ist an das bereits in organischen Feldeffekttransstoren verwendete Pentacen und später zum Vergleich auch an andere Modellmoleküle gedacht. Schichten分子的研究工作由波鸿大学的Wöll教授和帕德博恩大学的Hilleringmann教授负责。Ziel is die Entwicklung geeigneter Methoden zur Herstellung scharfer und thermisch stabiler Grenzflächen.采用金属-聚合物粘结剂的长链聚合物的增强和扩散与聚集的协同作用可以通过有效的扩散屏障来实现，这种有效的扩散屏障是通过对韦尔登的单分子层的有效培养来实现的。

Die elektronischen Eigenschaften und Lebensdauer typischer organischen Feldeffekttransistoren hängen entscheidend von der Struktur und Stabilität der Grenzflächen zwischen organischem Halbleiter und Metallkontakten ab. Ein besonderes Problem stellt die schon bei der Metallisierung auftretende Eindiffusion von Metallen in den Halbleiter dar. Im vorliegenden Projekt sollen Keimbildung, Wachstum und Diffusion von Metallen auf molekularen Halbleitern untersucht werden. Zunächst ist an das bereits in organischen Feldeffekttransistoren verwendete Pentacen und später zum Vergleich auch an andere Modellmoleküle gedacht. Die Herstellung der molekularen Schichten soll in enger Kooperation mit der Arbeitsgruppe von Prof. Wöll von der Universität Bochum und Prof. Hilleringmann, Universität Paderborn, erfolgen. Ziel ist die Entwicklung geeigneter Methoden zur Herstellung scharfer und thermisch stabiler Grenzflächen. Ausgehend von langjährigen Erfahrungen mit Metall-PolymerGrenzflächen und dem Zusammenspiel von Diffusion und Aggregation sollen insbesondere Ansätze mit effektiven Diffusionsbarrieren durch gezielte Einbringung von Keimbildungszentren weit unterhalb des Monolagenbereichs verfolgt werden.