Korrelation von Metallwachstum auf molekularen organischen Halbleitern und elektronischen Eigenschaften

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Die elektronischen Eigenschaften und Lebensdauer typischer organischen Feldeffekttransistoren hängen entscheidend von der Struktur und Stabilität der Grenzflächen zwischen organischem Halbleiter und Metallkontakten ab. Ein besonderes Problem stellt die schon bei der Metallisierung auftretende Eindiffusion von Metallen in den Halbleiter dar. Im vorliegenden Projekt sollen Keimbildung, Wachstum und Diffusion von Metallen auf molekularen Halbleitern untersucht werden. Zunächst ist an das bereits in organischen Feldeffekttransistoren verwendete Pentacen und später zum Vergleich auch an andere Modellmoleküle gedacht. Die Herstellung der molekularen Schichten soll in enger Kooperation mit der Arbeitsgruppe von Prof. Wöll von der Universität Bochum und Prof. Hilleringmann, Universität Paderborn, erfolgen. Ziel ist die Entwicklung geeigneter Methoden zur Herstellung scharfer und thermisch stabiler Grenzflächen. Ausgehend von langjährigen Erfahrungen mit Metall-PolymerGrenzflächen und dem Zusammenspiel von Diffusion und Aggregation sollen insbesondere Ansätze mit effektiven Diffusionsbarrieren durch gezielte Einbringung von Keimbildungszentren weit unterhalb des Monolagenbereichs verfolgt werden.