Non-magnetic Replacement and Ballistic Thermal Conductivity in Frastrated Quantum Spin System of 2-dimensional Quantum Solid

二维量子固体分步量子自旋系统中的非磁性置换和弹道热导率

基本信息

  • 批准号:
    23540401
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2011-04-28 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Solidification of Second Atomic Layer of 4He Film Adsorbed on Graphite
石墨吸附的4He薄膜第二原子层的凝固
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Kumagai;H. Shishido;T. Shibauchi and Y. Matsuda;Masashi Morishita
  • 通讯作者:
    Masashi Morishita
グラファイト上ヘリウム薄膜におけるDirac粒子系
石墨上氦薄膜中的狄拉克粒子系统
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    森下将史
  • 通讯作者:
    森下将史
グラファイト上吸着3He-4He薄膜の固化
石墨上吸附 3He-4He 薄膜的凝固
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Kumagai;H. Shishido;T. Shibauchi and Y. Matsuda;森下将史
  • 通讯作者:
    森下将史
Reentrant Solidification of First Layer of 4He Film on Graphite”
石墨上第一层4He薄膜的重入凝固”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Kumagai;H. Shishido;T. Shibauchi and Y. Matsuda;Jun-ichi Igarashi and Tatsuya Nagao;山口博則,岩瀬賢治,小野俊雄,中野博生,下川統久朗,細越裕子;Masashi Morishita
  • 通讯作者:
    Masashi Morishita
グラファイト上ヘリウム4薄膜吸着第1原子層の状態
石墨上氦 4 薄膜吸附第一原子层的状态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Kumagai;H. Shishido;T. Shibauchi and Y. Matsuda;Tsutomu Momoi;Jun-ichi Igarashi and Tatsuya Nagao;礒田誠,中野博生,坂井徹;森下将史
  • 通讯作者:
    森下将史
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  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 3.24万
  • 项目类别:
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知道了