Development of bridged nitride semiconductor nanowire LED on Si substrate

Si衬底上桥接氮化物半导体纳米线LED的研制

• 批准号: 23651146
• 负责人: HONDA Yoshio
• 金额: $ 2.33万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23651146/
• 关键词: MBE; 結晶成長; 半導体超微細化; 半導体物性; 量子細線; ナノワイヤ; InGaN; フォトルミネッセンス; STEM; 双晶; LED

We succeeded in growth of GaN nanowires (NWs) on trench wall of Si microstructure. In order to reduce adverse effects of a polarization electric fieldand buffer layers, we also succeeded in growth of InGaN NWs on Si substrate without any buffer layer. In contrast to GaN NWs, however, there are some twin boundaries in InGaN NWs. We investigated the relationship between the twin boundaries and the optical properties. Lastly, we attempted to grow GaN NWs on highly oriented pyrolytic graphite(HOPG) substrate in order to apply to future device, and we observed that GaN NWs grew on HOPG substrate.

我们成功地在硅微结构的沟槽壁上生长了GaN纳米线。为了减少极化电场和缓冲层的不利影响，我们还成功地在没有任何缓冲层的Si衬底上生长InGaN纳米线。然而，与GaN纳米线相比，InGaN纳米线中存在一些孪晶界。我们研究了孪晶界和光学性质之间的关系。最后，我们尝试在高取向热解石墨（HOPG）衬底上生长GaN纳米线，以应用于未来的器件，我们观察到GaN纳米线生长在HOPG衬底上。

项目成果

Si 基板上 InGaN ナノワイヤの積層欠陥と発光特性

Si衬底上InGaN纳米线的堆垛层错和发光特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 山口雅史,白 知鉉,田畑拓也,中川慎太;本田善央;天野 浩;田畑拓也,白 知鉉,本田善央,山口雅史,天野 浩
• 通讯作者: 田畑拓也,白 知鉉,本田善央,山口雅史,天野 浩

RF-MBE法による各種基板上GaN系ナノワイヤ成長

采用 RF-MBE 方法在各种基底上生长 GaN 基纳米线

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Tabata;J.H. Paek;Y. Honda;M. Yamaguchi;and H. Amano;水谷駿介，田畑拓也，中川慎太，山口雅史，天野浩，井村将隆，中山佳子，竹口雅樹
• 通讯作者: 水谷駿介，田畑拓也，中川慎太，山口雅史，天野浩，井村将隆，中山佳子，竹口雅樹

Stacking Faults and Luminescence Property of InGaN Nanowires

InGaN纳米线的堆垛层错和发光特性

• DOI: 10.7567/jjap.52.08je06
• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: T. Tabata;J. Paek;Y. Honda;M. Yamaguchi;H. Amano
• 通讯作者: H. Amano

RF-MBE 法によるガラス基板上 InGaN ナノ構造の作製

RF-MBE 法在玻璃衬底上制备 InGaN 纳米结构

• 发表时间: 2012
• 作者: 中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史;天野 浩;渕真悟 ;竹田美和
• 通讯作者: 竹田美和

RF-MBE 法による各種基板上 GaN系ナノワイヤ成長

采用 RF-MBE 方法在各种衬底上生长 GaN 基纳米线

• 发表时间: 2012
• 作者: 中川慎太,田畑拓也,本田善央,山口雅史;天野 浩;渕真悟 ;竹田美和;水谷駿介,田畑拓也,中川慎太,山口雅史,天野 浩,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹
• 通讯作者: 水谷駿介,田畑拓也,中川慎太,山口雅史,天野 浩,井村将隆,中山佳子,竹口雅樹