Quantitative Measurements of Local Valence Electronic States at Specific Surface and Interface of Ultrathin Metals and Metal Oxides High Dielectric Films

超薄金属和金属氧化物高介电薄膜特定表面和界面的局域价电子态的定量测量

• 批准号: 23760035
• 负责人: KAKIUCHI Takuhiro
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Ehime University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760035/
• 关键词: シリコン; 表面界面; 局所価電子状態; オージェ電子-光電子コインシデンス分光; 高誘電体超薄膜; シリコン半導体; ハフニウム; 高誘電体材料; コインシデンス分光; 水素; 省エネルギー; 微細加工; Si(110); coincidence spectroscopy; HfO2; Auger electron; photoelectron

We have concluded that the Adatom-Buckling (AB) model is mostsuitable for the reconstruction surface structure of Si(100)-16×2 using Si-2pphotoelectron - Si-L_23VV Auger electron coincidence spectroscopy. In addition, the valence band maximum of Si(110) surface terminated by hydrogen atoms (H/Si(110)-1×1) is shifted by ~1 eV to the higher binding energy side in comparison with that of Si(110)-16×2 clean surface. However, we could not make the ultrathin metal and metal oxide films on Si(110)-16×2 surface or H/Si(110)-1×1 surface.

用Si-2 p光电子- Si-L_（23）VV俄歇电子符合谱研究了Si（100）-16 2的表面结构，结果表明，Adatom-Buckling（AB）模型最适合于Si（100）-16 2的表面结构。此外，与Si（110）-16 2清洁表面相比，被氢原子（H/Si（110）-1 1）终止的Si（110）表面的价带最大值向高结合能侧移动约1 eV。但在Si（110）-16 2表面或H/Si（110）-1 1表面上均不能制备金属氧化物薄膜。

项目成果

オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による Si(110)-16×2 清浄表面の局所価電子状態の観測

俄歇电子光电子符合能谱观察Si(110)-16×2洁净表面局域价电子态

• 发表时间: 2012
• 作者: 垣内拓大;佐藤勇輝;花岡咲;長岡伸一;間瀬一彦
• 通讯作者: 間瀬一彦

Local Valence Electronic States of Si(110)-16×2 Clean Surface Studied Using Auger-photoelectron Coincidence spectroscopy

使用俄歇光电子符合光谱研究 Si(110)-16×2 清洁表面的局域价电子态

• 发表时间: 2012
• 作者: T Kakiuchi;Y. Sato;S. Hanaoka;R. Sakao;S. Arae;M. Tanaka;S. Nagaoka and K. Mase
• 通讯作者: S. Nagaoka and K. Mase

Si(110)-16×2 清浄表面の最安定構造モデル

Si(110)-16×2洁净表面最稳定的结构模型

• 发表时间: 2011
• 作者: 垣内拓大;久保田裕之;田原雅士;間瀬一彦;長岡伸一
• 通讯作者: 長岡伸一

Construction and evaluation of Auger-photoelectron coincidence apparatus at BL13 of HiSOR

HiSOR BL13俄歇光电子符合装置的构建与评价

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Kakiuchi;Y. Sato;S. Hanaoka;J. Kajikawa;H. Hayashita;M. Ogawa;S. Arae;S. Wada;T. Sekitani;S. Nagaoka;M. Tanaka;K. Mase
• 通讯作者: K. Mase

オージェ電子-光電子コインシデンス分光法による SiO_2/Si 超薄膜の表面界面基板を選別した局所価電子状態の研究

俄歇电子光电子符合能谱研究超薄SiO_2/Si薄膜表面界面基底的局域价电子态

• 发表时间: 2012
• 作者: 山本 圭介;井餘田 昌俊;王 冬;中島 寛;垣内拓大
• 通讯作者: 垣内拓大