Construction of advanced observation system for semiconductor defect using scanning positron microbeam and electron beam induced current method

扫描正电子微束电子束感应电流法半导体缺陷先进观测系统的构建

• 批准号: 23760039
• 负责人: MAEKAWA Masaki
• 金额: $ 1.58万
• 依托单位: Japan Atomic Energy Agency
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760039/
• 关键词: 陽電子マイクロビーム; 空孔型欠陥; 空間分布; ＥＢＩＣ測定; 欠陥準位; 再結合中心; イオン照射; EBIC測定; イオン注入

A complementary study of vacancy defects in Si substrates by using scanning positron microscope (SPM) and electron beam induced current (EBIC) method were demonstrated for the same samples and in the same chamber. Both the S parameter and EBIC contrast were found to be enhanced in the regions containing vacancy defects introduced by ion implantation. That is, the SPM provides a criterion if the spatially resolved carrier recombination centres by the EBIC method are originating from vacancy defects or not.

利用扫描电子显微镜(SPM)和电子束感应电流法(EBIC)对同一样品和同一腔室中的Si衬底中的空位缺陷进行了互补研究。在离子注入引入空位缺陷的区域，S参数和EBIC对比度都得到了增强。也就是说，SPM提供了EBIC方法的空间分辨载流子复合中心是否起源于空位缺陷的判据。

项目成果

Complementary study of vacancy defects in Si substrates by using SPM and EBIC method

SPM与EBIC方法互补研究Si衬底空位缺陷

• 发表时间: 2013
• 期刊: JAEA-Review
• 作者: T. K. Shimizu;J. Jung;H. Imada and Y. Kim;M. Maekawa and A. Kawasuso
• 通讯作者: M. Maekawa and A. Kawasuso

陽電子マイクロビームと電子線誘起電流法(EBIC)による結晶欠陥の観察

使用正电子微束和电子束感应电流法（EBIC）观察晶体缺陷

• 发表时间: 2012
• 作者: Takao Ochiai;Tetsuya Narushima;Katsuhiro Isozaki;Hiromi Okamoto;Kazushi Miki;前川雅樹
• 通讯作者: 前川雅樹

陽電子マイクロビームを用いたイオン照射空孔分布挙動評価

使用正电子微束的离子辐照空位分布行为评估

• 作者: 前川雅樹;河裾厚男
• 通讯作者: 河裾厚男

Observation of spatial distribution of vacancy defects in semiconductor by positron microscope and electron beam induced current measurement

正电子显微镜和电子束感应电流测量观察半导体空位缺陷的空间分布

• DOI: 10.1088/1742-6596/443/1/012041
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Phys. Conf. Ser
• 作者: 西山嘉男;成島哲也;井村考平;岡本裕巳;M. Maekawa and A Kawasuso
• 通讯作者: M. Maekawa and A Kawasuso