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Development of low-cost, ultrahigh-efficiency compound semiconductor/silicon hybrid tandem solar cells
低成本、超高效率化合物半导体/硅混合串联太阳能电池的开发
基本信息
- 批准号：23760303
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011 至 2013
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We have generated an ohmic GaAs/Si bonded interface for the first time. This optically transparent, electrically conductive heterointerface can be applied for the creation of various novel high-performance compound semiconductor/silicon hybrid optoelectronic devices. By using the GaAs/Si bonding technique, we have successfully fabricated an AlGaAs/Si two-terminal dual-junction solar cell, the first bonded compound semiconductor/silicon hybrid multijunction solar cell. The fabricated dual-junction cell exhibits a high preliminary efficiency of 25% under a 1 sun (100 mW/cm2) illumination, demonstrating the validity of our bonding scheme for the realization of ultrahigh-efficiency lattice-mismatched multijunction solar cells.
我们首次制备了GaAs/Si欧姆键合界面。这种光学透明、导电的异质界面可应用于各种新型高性能化合物半导体/硅混合光电器件的产生。利用GaAs/Si键合技术，我们成功地制备了AlGaAs/Si双端双结太阳电池，这是第一个键合的化合物半导体/硅混合多结太阳电池。所制造的双结电池表现出高的初步效率为25%，在1个太阳（100 mW/cm 2）的照明下，证明了我们的键合方案的有效性，为实现超高效率的晶格失配的多结太阳能电池。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Towards quantum dot solar cell industrialization : High efficiency cells and flexible thin film cells
迈向量子点太阳能电池产业化：高效电池和柔性薄膜电池
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：青山裕之;大平昌敬;馬哲旺;K. Tanabe and Y. Arakawa
- 通讯作者：K. Tanabe and Y. Arakawa
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- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tanabe;K. Watanabe and Y. Arakawa
- 通讯作者：K. Watanabe and Y. Arakawa
High-efficiency InAs/GaAs quantum dot solar cells by MOCVD
MOCVD 高效 InAs/GaAs 量子点太阳能电池
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Tanabe;D. Guimard;D. Bordel;R. Morihara;M. Nishioka and Y. Arakawa
- 通讯作者：M. Nishioka and Y. Arakawa
フレキシブル薄膜InAs/GaAs量子ドット太陽電池
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- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大平昌敬;馬哲旺;田辺克明,渡邉克之,荒川泰彦
- 通讯作者：田辺克明,渡邉克之,荒川泰彦
量子ドット太陽電池研究の展開",応用物理, 7月号
量子点太阳能电池研究进展》，应用物理，七月号
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Kawamura;E. Yumoto and S. Ishikuro;荒川泰彦,野澤朋宏,田辺克明
- 通讯作者：荒川泰彦,野澤朋宏,田辺克明
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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On the Field Focusing Effect at the Tungsten Fuzzy Nanostructures Formed by Helium Plasmas
氦等离子体形成钨模糊纳米结构的场聚焦效应
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- 影响因子：0.8
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TANABE Katsuaki
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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