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ゲルマニウムと金属酸化物の界面反応に関する速度論的研究

锗与金属氧化物界面反应动力学研究

基本信息

批准号：
12F02061
负责人：
鳥海明
金额：
$ 1.47万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012 至 2013
项目状态：
已结题

项目摘要

研究項目として、Ge/絶縁膜界面のバンドオフセットの定量化を掲げた。今年度は特にGe基板上に形成方法を変えたGeO2膜とGe界面におけるエネルギーバンドオフセット量を内部光電子分光法によって決定した。まず、GeO2を大気圧酸素によって参加した場合と、我々が今まで培ってきた高圧酸素下で酸化したGeO2を定量的に比較した。結果として、この二種類のGeO2膜の間には次のような特徴的な差があることがわかった。①内部光電子分光法で決められるフォトンのしきいエネルギーは両者でほぼ差が無い。②大気圧酸化の場合には、しきいエネルギー以下にすそのを引く形で障壁を越える電流が観測される。これらの結果は、Ge基板のタイプを変えても, 金属の種類を変えても観測されることがわかった。さらに、この結果と二種類のGeO2膜の光吸収特性の結果を考慮すると、大気圧酸化したGeO2の伝導帯側にはテイルを引く状態があり、高圧酸素酸化することによってテイルが消えていくと考えられる。このことは我々のグループが今までに報告してきた電気特性の結果と符合する。逆に言えば、単に一気圧酸素下で酸化して形成されたGeO2膜を用いたGe/GeO2ゲートスタック界面はプアな特性を示すのは、伝導帯側エッジに形成された準位のためであることが予測される。これは単なる界面準位ではないが、n-MOSFETで決定的に重要な役割を果たすと考えるのは妥当であろう。さらにXPSを用いた電荷トラップの評価を上記の二種類の酸化膜に対して行ったところ、高圧酸素で形成されたGeO2膜では大気圧で酸化された膜に比べて電子トラップが極めて少ないことがわかった。物理測定から電気測定までを一貫して評価してきた結果が、次第に統一化されつつある。上記のすばらしい結果に対して、Zhang博士に大変感謝している。

Research project: Quantitative quantification of Ge/Ge film interface interface. This year's special method is to form the GeO2 film on the Ge substrate and the Ge interface is to be used. It is determined by internal photoelectron spectroscopy.まず、GeO2をHigh-pressure oxidation element によって participates in the occasion したと, I have done a quantitative comparison of GeO2 acidification under high-pressure oxidation conditions. The result is that the two types of GeO2 films, GeO2 films, are special. ① The internal photoelectron spectroscopy method is the same as the one that uses the same method. ② In the case of high-pressure acidification, it is necessary to conduct a high-pressure acidification test under the condition of a high-pressure acidification barrier. The result of これらのは, Ge substrate のタイプを変えても, metal type を変えても観measure されることがわかった.さらに、このRESULTSとThe results of the light absorption characteristics of the two types of GeO2 films are consideredすると、大気姧 acidificationしたGeO2の伝The guide side is a high-pressure acidified acid, a high-pressure acidified acid, and a high-pressure acidified acid.このことは我々のグループが日までに report してきた电気 Characteristics のRESULTS する. Ge/GeO2 Ge/GeO2 film was formed by inverse acidification and acidification under the pressure of phosphate. The ック interface and the はプアな characteristic をshow すのは and the guide side エッジに form the quasi-position のためであることがpredict される. It is important to determine the interface level of n-MOSFET and the correctness of n-MOSFET.さらにXPSをUsing いたcharged トラップの evaluation 価を上记の二 kinds of acidified film に対して行ったところ、High pressure acid element でThe formation of GeO2 film requires high pressure and acidification of the film, which is less effective than the high-pressure electrolytic film. Physical measurement and electrical measurement are consistent and the results are standardized and the order is unified. The results of the above are recorded, and Dr. Zhang’s thanks are greatly appreciated.