有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究
有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究
批准号:
15656081
负责人:
鳥海 明
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2003
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2003 至 2004
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
本研究テーマにおいて、以下の研究を行った。(1)有機メモリー:有機薄膜中の電子捕獲効果を明かにするために、Au/ペンタセン/薄膜/Al薄膜(ドット)/ペンタセン薄膜/Auというサンドイッチ構造を作成し、二端子配置で電流-電圧特性を調べた。その結果、高い電圧を一度加えると高電流状態になり、逆向きに電圧を加えると低電流状態膜になることがわかった。これはAlドットに起因した電荷捕獲によって、電流-電圧特性が変化したものと考えられ、有機メモリーしての基本機能を示すことができたと考える。(2)有機薄膜FETモビリティの高精度評価技術の開発:FETのモビリティ評価は従来半導体FETの解析モデルによっているが、本研究ではチャネルに存在するキャリア数を容量特性評価から正確に求め、電流との比からモビリティを高精度に決める手法を開発し、実際にペンタセンFETに適用して従来法との比較を行った。それによると、キャリア数が少ない領域では、極めて大きな差が現れることがわかった。(3)有機膜のインピーダンス特性:有機薄膜のメモリー効果を検討する上では、有機膜のインピーダンス特性は電荷捕獲効果を見極める上で重要である。Au/ペンタセン/Auのサンドイッチ構造を作成し、インピーダンスの周波数特性を評価した。その結果、ペンタセン膜を等価回路的にはRCの並行回路として扱えることがわかった。さらにペンタセンの膜厚依存生から、ペンタセンの比誘電率が6程度であることがわかった。(4)有機薄膜伝導の光スイッチング特性:(3)と同様のMIM構造で、ペンタセン膜における光の照射スイッチング特性を調べた。その結果、光オフ時の電流の減少は、単純な減衰過程ではなく瞬時の短い時定数による減少と、それに続く長い時定数の減衰過程が重畳されているように観測された。これはペンタセン膜中のキャリアの捕獲、再結合過程と関係していると考えられる。
期刊论文(16)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
電流電圧特性とキャリア数を区別して評価したペンタセンTFTの移動度
通过区分电流-电压特性和载流子数量评估并五苯 TFT 的迁移率
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
春季第52回応用物理学関係連合講演会
影响因子:
--
作者:
[与儀 修, 川上 友則, 水野 彰, 横山 孝理]
通讯作者:
横山 孝理
M.Tejima, et al.: "Anomalous Growth Temperature Dependence of the Surface Roughness of Pentacene Thin Films"Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials. 214 (2003)
M.Tejima 等人:“并五苯薄膜表面粗糙度的异常生长温度依赖性”2003 年国际固态器件和材料会议的扩展摘要。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Semiconducting Properties of Pentacene Thin Films Studied by Complex Impedance Analysis and Photo-induced Effects.
通过复阻抗分析和光致效应研究并五苯薄膜的半导体特性。
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
206^<th> Meeting of The Electrochemical Society,(Hawaii)
影响因子:
--
作者:
[M.Tejima et al., T.Nishimura et al., T.Yokoyama et al., A.Toriumi et al.]
通讯作者:
A.Toriumi et al.
T.Komoda, et al.: "Performance and Degradation in Single Grain-size Pentacene Thin-Film Transistors"Jpn.J.Appl.Phys.. 42,No.6A. 3662 (2003)
T.Komoda等人:“单晶尺寸并五苯薄膜晶体管的性能和退化”Jpn.J.Appl.Phys.42,No.6A。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Complex Impedance Analysis and Photo-Induced Effects of Semiconducting Pentacene Films
半导体并五苯薄膜的复阻抗分析和光致效应
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
Extended Abstracts of 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子:
--
作者:
[M.Tejima et al., T.Nishimura et al.]
通讯作者:
T.Nishimura et al.
共 8 条
酸化物薄膜における金属・絶縁体転移のサイズ効果
-
批准号:15F15363
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2015
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
極薄Geチャネルにおけるキャリア輸送機構の理解と制御
-
批准号:13F03058
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:2013
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
ゲルマニウムと金属酸化物の界面反応に関する速度論的研究
-
批准号:12F02061
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.47万
-
财政年份:2012
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
高性能グラフェンFETに向けたゲートスタック技術の研究
-
批准号:12F02364
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.54万
-
财政年份:2012
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
高誘電率絶縁膜界面に存在する電気的双極子層の検出とその起源に関する研究
-
批准号:08F08383
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:2008
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
高誘電率絶縁薄膜の遠赤外から紫外領域にわたる光学吸収特性に関する研究
-
批准号:06F06127
-
项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
-
资助金额:$0.77万
-
财政年份:2006
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築
-
批准号:13450122
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额:$9.02万
-
财政年份:2001
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
ナノ・プラスティックFETの研究開発
-
批准号:13875066
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$0.26万
-
财政年份:2001
-
负责人:鳥海 明
-
依托单位:
海外基金