有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究

有机薄膜堆叠薄膜中导电载流子积累效应研究

基本信息

  • 批准号:
    15656081
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2004
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究テーマにおいて、以下の研究を行った。(1)有機メモリー:有機薄膜中の電子捕獲効果を明かにするために、Au/ペンタセン/薄膜/Al薄膜(ドット)/ペンタセン薄膜/Auというサンドイッチ構造を作成し、二端子配置で電流-電圧特性を調べた。その結果、高い電圧を一度加えると高電流状態になり、逆向きに電圧を加えると低電流状態膜になることがわかった。これはAlドットに起因した電荷捕獲によって、電流-電圧特性が変化したものと考えられ、有機メモリーしての基本機能を示すことができたと考える。(2)有機薄膜FETモビリティの高精度評価技術の開発:FETのモビリティ評価は従来半導体FETの解析モデルによっているが、本研究ではチャネルに存在するキャリア数を容量特性評価から正確に求め、電流との比からモビリティを高精度に決める手法を開発し、実際にペンタセンFETに適用して従来法との比較を行った。それによると、キャリア数が少ない領域では、極めて大きな差が現れることがわかった。(3)有機膜のインピーダンス特性:有機薄膜のメモリー効果を検討する上では、有機膜のインピーダンス特性は電荷捕獲効果を見極める上で重要である。Au/ペンタセン/Auのサンドイッチ構造を作成し、インピーダンスの周波数特性を評価した。その結果、ペンタセン膜を等価回路的にはRCの並行回路として扱えることがわかった。さらにペンタセンの膜厚依存生から、ペンタセンの比誘電率が6程度であることがわかった。(4)有機薄膜伝導の光スイッチング特性:(3)と同様のMIM構造で、ペンタセン膜における光の照射スイッチング特性を調べた。その結果、光オフ時の電流の減少は、単純な減衰過程ではなく瞬時の短い時定数による減少と、それに続く長い時定数の減衰過程が重畳されているように観測された。これはペンタセン膜中のキャリアの捕獲、再結合過程と関係していると考えられる。
This study was conducted in the following ways: (1)Organic thin film: electron trapping effect in organic thin film is clearly defined, Au/thin film/Al thin film/thin film/Au/thin film structure is made, two-terminal arrangement and current-voltage characteristics are adjusted. As a result, the high voltage is increased by one degree, and the high current is increased by one degree. The reason for this is charge trapping, current-voltage characteristics, and basic functions. (2)Development of high precision evaluation technology for organic thin film FET:FET's performance evaluation is based on the analysis of semiconductor FET's performance. This study is aimed at developing and comparing methods for accurate determination of current ratio and high precision evaluation of semiconductor FET's performance. The most important thing is that the number of people in the world is small, and the number of people in the world is small. (3)Organic film characteristics: organic film characteristics of charge trapping effect is very important. Au/Au composite structure is made and the frequency characteristics of Au composite structure are evaluated. The result is that the circuit is parallel to the RC circuit. The film thickness of the film depends on the specific permittivity of the film. (4)Organic thin film light conduction characteristics:(3) the same MIM structure, thin film light irradiation characteristics tuning As a result, the decrease of current in light time is pure attenuation process, and the decrease of current in light time is instantaneous and the decrease of current in light time is pure attenuation process. The process of capture and recombination in the membrane is related to the process of separation and recombination.

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
電流電圧特性とキャリア数を区別して評価したペンタセンTFTの移動度
通过区分电流-电压特性和载流子数量评估并五苯 TFT 的迁移率
M.Tejima, et al.: "Anomalous Growth Temperature Dependence of the Surface Roughness of Pentacene Thin Films"Extended Abstracts of 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials. 214 (2003)
M.Tejima 等人:“并五苯薄膜表面粗糙度的异常生长温度依赖性”2003 年国际固态器件和材料会议的扩展摘要。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Semiconducting Properties of Pentacene Thin Films Studied by Complex Impedance Analysis and Photo-induced Effects.
通过复阻抗分析和光致效应研究并五苯薄膜的半导体特性。
T.Komoda, et al.: "Performance and Degradation in Single Grain-size Pentacene Thin-Film Transistors"Jpn.J.Appl.Phys.. 42,No.6A. 3662 (2003)
T.Komoda等人:“单晶尺寸并五苯薄膜晶体管的性能和退化”Jpn.J.Appl.Phys.42,No.6A。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Complex Impedance Analysis and Photo-Induced Effects of Semiconducting Pentacene Films
半导体并五苯薄膜的复阻抗分析和光致效应
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.factor }}
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{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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