シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築

硅基片上超薄膜和稀土金属氧化物介电常数控制指南的构建

• 批准号: 13450122
• 负责人: 鳥海 明
• 金额: $ 9.02万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-13450122/
• 关键词: シリコン

基盤研究(B)(2)のスタートにあたって、当該分野の最先端の現状を精査するためにVLSIシンポジウム(京都で開催)に参加した。ここでは、技術的な側面が多く議論されたが、基礎的側面の取り組みの重要性が再認識された。そこには、異種材料の界面の電子状態をどう取り扱うかなども含まれている。その後すぐに、本研究分野をより広く包含した基盤研究(S)の採択が通知されたため、基盤研究(B)(2)に関しては打ち切った。

Base plate research (B)(2) is conducted to examine the status quo of the most advanced parts of the field and to participate in VLSI research (Kyoto). There are many discussions on the bottom of technology, and the importance of the bottom of the foundation is recognized again. The electronic state of the interface between dissimilar materials is changed from zero to zero. This study is divided into two parts: basic study (S) and basic study (B).