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シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築

シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築
硅基片上超薄膜和稀土金属氧化物介电常数控制指南的构建
批准号：
13450122
负责人：
鳥海 明
金额：
$9.02万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2001
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2001 至 2003
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-13450122/
关键词：
シリコン

项目摘要

项目成果

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基盤研究(B)(2)のスタートにあたって、当該分野の最先端の現状を精査するためにVLSIシンポジウム(京都で開催)に参加した。ここでは、技術的な側面が多く議論されたが、基礎的側面の取り組みの重要性が再認識された。そこには、異種材料の界面の電子状態をどう取り扱うかなども含まれている。その後すぐに、本研究分野をより広く包含した基盤研究(S)の採択が通知されたため、基盤研究(B)(2)に関しては打ち切った。
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会议论文
酸化物薄膜における金属・絶縁体転移のサイズ効果
  • 批准号：
    15F15363
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    鳥海 明
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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  • 批准号：
    13F03058
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    鳥海 明
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    鳥海 明
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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  • 批准号：
    12F02364
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    鳥海 明
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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