無機-有機複合ナノワイヤの歪制御と同時ドーピングによる高性能光デバイスの実現
通过无机-有机复合纳米线的应变控制和同时掺杂实现高性能光学器件
基本信息
- 批准号:12F02316
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
半導体ナノワイヤは,量子サイズ効果によりバルク半導体結晶には見られない興味深い物性を示す事から電子デバイス材料として注目されている。本研究では環境親和性が高い2種類の半導体材料,シリコン(Si)と酸化亜鉛(ZnO),のナノワイヤの物性をさらに制御し,より有用な材料を創成することを目的に,ドーピングによる格子歪の導入,無機‐無機もしくは無機‐有機ヘテロ構造ナノワイヤの形成を行う。本年度は,以下の研究を実施した。1)Siナノ結晶への歪の導入と三次非線形光学応答の増大。ボールミリングにより直径10-42nm程度のSiナノ結晶を作製し,X線回折とTEMにより歪を評価した。歪の導入がSiナノ結晶の3次非線形光学応答に及ぼす影響について研究を行ったところ,2光子吸収係数と非線形屈折率が歪量に依存して変化することが明らかになった。特に歪量0.2-0.5%の領域において2光子吸収係数が単調に減少し非線形屈折率が単調に増加することを見出した。本研究の結果は,歪の導入による特性制御がSiナノ構造の非線形光学素子応用において有効であることを示している。2)EuドーピングによるZnOナノワイヤの第二次高調波発生(SHG)増強。ZnOナノワイヤは高い第二次高調波発生(SHG)効率を有することが知られている。不純物のドーピングによる結晶格子歪の導入によりZnOナノワイヤのSHG効率をさらに増大することを試みた。その結果,ユーロピウム(Eu)ドーピングによりSHGが大きく増大することを見出した。SHG強度はEu濃度が約0.5 at.%の時に最大となった。有効SHG係数増大のメカニズムを解明するために,フォトルミネッセンススペクトルのシュタルク分裂よりZnO結晶の対称性崩れの大きさを見積もった。有効SHG係数とZnO結晶の対称性崩れの大きさの間に強い相関が見られることから,EuドーピングによるZnO結晶の格子の歪がSHG増大の原因であると考えらえる。
The semiconductors are very sensitive, and the results show that the properties of the semiconductors are profound. In this study, environmental and high performance materials such as semi-solid materials, Si acidizing materials (ZnO), mechanical properties (ZnO), useful materials are used to achieve the objective of environmental and high-performance materials, and they are loaded askew. There are no machines, no machines, no machines. This year, the following is a study of the implementation of the project. The main results are as follows: 1) the results of the Si experiment show that there are three non-shaped optical errors. The diameter of 10-42nm is different from that of Si, and the X line is folded back to show that the diameter of TEM is distorted. Distorted into the Si experiment results for 3 times in the non-shape optical response and the study of the number of photons, the number of photons, the distortion of the refractive index, the dependence, the dependence, the optical density, the temperature, the temperature and the temperature. The special distortion is 0.2%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5%, 0.5 The results of this study show that the characteristics of the Si system can be used to make non-shaped optoons. 2) the second high-altitude wave (SHG) intensity of the second high-altitude wave (SHG) is due to the increase of Eu concentration in the second wave. The rate of the second high-altitude wave (SHG) in ZnO patients was higher than that in normal subjects. The results show that the lattice is skewed into the ZnO and the SHG rate is higher than that of the control group. The results show that there is a significant increase in the number of errors (Eu). This is due to the failure of the SHG system. The strength of SHG is about 0.5 at.% and the maximum temperature of Eu is about 0.5 at.%. There is a large number of SHG data in order to understand that there is a large number of symptoms, such as the number of symptoms, the number of cells, the number of ZnO results, the number of symptoms, the number of cells, the number of crystals, the There are SHG data, ZnO results, symmetry collapse, ZnO, Eu, ZnO, ZnO, lattice, SHG, and so on.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Eu-doping induced improvement on the second harmonic generation of ZnO Nanowires
- DOI:10.1557/opl.2014.367
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Dhara;K. Imakita;M. Mizuhata;M. Fujii
- 通讯作者:S. Dhara;K. Imakita;M. Mizuhata;M. Fujii
Aluminum doped core-shell type ZnO/ZnS nanowires : structural and photoluminescence studies
铝掺杂核壳型 ZnO/ZnS 纳米线:结构和光致发光研究
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Soumen Dhara;Kenji Imakita;P. K. Giri;Minoru Mizuhata and Minoru Fuji
- 通讯作者:Minoru Mizuhata and Minoru Fuji
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
藤井 稔其他文献
A gallery model for level-zero representations of quantum affine algebras
量子仿射代数零级表示的图库模型
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
管野 天;多田 康洋;加納 伸也;杉本 泰;今北 健二;藤井 稔;Motohiro Ishii - 通讯作者:
Motohiro Ishii
n型、p型不純物同時ドーピングによる近赤外-可視発光コロイド状Siナノ結晶の開発
同时掺杂n型和p型杂质开发近红外-可见光发光胶体硅纳米晶
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
杉本 泰;藤井 稔;今北 健二;林 真至;赤松 謙佑 - 通讯作者:
赤松 謙佑
電場誘起表面電子系を用いた2次元超伝導物性の開拓
利用电场感应表面电子系统开发二维超导特性
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
安達 良和;Izzah Machfuudzoh;杉本 泰;藤井 稔;三宮 工;野島勉 - 通讯作者:
野島勉
藤井 稔的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('藤井 稔', 18)}}的其他基金
トロイダル双極子共鳴のデバイス応用に向けたメタサーフェスプラットホームの構築
环形偶极子谐振器件应用超表面平台的构建
- 批准号:
23K21065 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
All-dielectric metafluid having magnetic responses in the visible range
在可见光范围内具有磁响应的全介电元流体
- 批准号:
22K18949 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
マルチモーダルイメージングに向けた機能性ハイブリッドナノプローブの開発
开发用于多模态成像的功能性混合纳米探针
- 批准号:
22F22048 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
トロイダル双極子共鳴のデバイス応用に向けたメタサーフェスプラットホームの構築
环形偶极子谐振器件应用超表面平台的构建
- 批准号:
21H01748 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of biophotonics and photochemical applications of silicon quantum dots in collaboration with a consortium established for the formation of "Silicon Nanomaterials Center" founded by US NSF
与美国NSF成立的“硅纳米材料中心”联合体合作开发硅量子点的生物光子学和光化学应用
- 批准号:
18KK0141 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))
Siナノ結晶光増感剤による希土類イオン及び遷移金属イオンドープ光学材料の高性能化
利用硅纳米晶光敏剂提高掺杂稀土离子和过渡金属离子的光学材料的性能
- 批准号:
07F07322 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
光学的手法によるナノスケールシリコン結晶中の不純物の電子状態に関する研究
利用光学方法研究纳米硅晶体中杂质的电子态
- 批准号:
19026011 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Siナノ結晶へのn、p型不純物同時ドーピングによるナノpn接合の形成
将 n 型和 p 型杂质同时掺杂到 Si 纳米晶中形成纳米 pn 结
- 批准号:
11750017 - 财政年份:1999
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
不純物をドープした半導体ナノ結晶の作製と光学的特性の解明に関する研究
掺杂半导体纳米晶的制备及其光学性能研究
- 批准号:
09750019 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
SiO_2薄膜に埋め込まれた金属・半導体ナノ結晶の電気伝導特性に関する研究
SiO_2薄膜中金属/半导体纳米晶的导电性能研究
- 批准号:
10127220 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
相似海外基金
強誘電超伝導体薄膜の歪制御と超伝導メモリへの応用
铁电超导薄膜的应变控制及其在超导存储器中的应用
- 批准号:
22K14607 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
歪制御した強誘電体薄膜の圧電特性とMEMS超音波トランスデューサへの応用
应变控制铁电薄膜的压电特性及其在MEMS超声换能器中的应用
- 批准号:
15J12596 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
陽イオン比および面内歪制御に基づく新規強誘電体複合酸化物薄膜の開発
基于阳离子配比和面内应变控制的新型铁电复合氧化物薄膜的开发
- 批准号:
11J06215 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高機能薄膜デバイス開発のための形状記憶アクティブ歪制御基板の創製
创建形状记忆主动应变控制基板以开发高性能薄膜器件
- 批准号:
21656189 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
静的水平力の作用を受ける建築骨組の弾性および弾塑性応答歪制御設計
静水平力作用下建筑框架的弹性弹塑性响应应变控制设计
- 批准号:
60750568 - 财政年份:1985
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)