Formation of band-offset type transparent conductive oxide thin films
带偏移型透明导电氧化物薄膜的形成
基本信息
- 批准号:23656386
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2011
- 资助国家:日本
- 起止时间:2011 至 2013
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The band structure of modulation-doped zinc oxide multilayer films was investigated using Kelvin force microscopy (KFM).A cross sectional cleaved surface and an oblique section formed by an ion beam etching of the multilayer films were scanned by a KFM probe tip and the mapping of work function was obtained. The results predicted the optimum thickness of the non-doped zinc oxide layer for good electrical properties. Thus, KFM should be useful for optimizing the structural design of modulation-doped transparent conductive oxide films.
利用Kelvin力显微镜(KFM)对调制掺杂氧化锌多层膜的能带结构进行了研究,利用KFM探针扫描了多层膜的解理面和离子束刻蚀形成的斜截面,得到了功函数图。结果预测了良好的电性能的非掺杂氧化锌层的最佳厚度。因此,KFM应该是有用的调制掺杂的透明导电氧化物薄膜的结构设计的优化。
项目成果
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专利数量(0)
Surface Potential Measurement of Semiconductors using Kelvin Force Microscopy
使用开尔文力显微镜测量半导体的表面电位
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:川口慶雅;池田弘;酒井大輔;原田建治;西井準治;Makoto ARITA
- 通讯作者:Makoto ARITA
RF マグネトロンスパッタリング法を用いたAl-doped ZnO / ZnO 多層膜の電気特性
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- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:長岡 孝;長野 信也;有田 誠;郭 其新
- 通讯作者:郭 其新
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