Longer-wavelength operation of germanium-on-silicon light-emission and photodetection devices using lattice strain control

使用晶格应变控制的硅基锗发光和光电检测装置的较长波长操作

基本信息

  • 批准号：
    24360133
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 金额：
    $ 12.23万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
Si Photonics for Sensing Applications
用于传感应用的硅光子学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    津崎翔伍;齊藤一幸;高橋応明;伊藤公一;橋口裕樹,武井宗久,小瀬村大亮,小椋厚志;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
An Increased Red Shift in Near-infrared Light Emission from Ge Microbeam Strictures on Si Induced by an Externally Applied Uniaxial Stress
外部施加的单轴应力引起硅上 Ge 微束结构的近红外光发射红移增加
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Tatsuji Kaiwa;Kazumi Wada;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Silicon/Germanium-Based Photonics for Information Technology and Sensing
用于信息技术和传感的硅/锗基光子学
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    西浦 陽平;上津原 大;東川 甲平;井上 昌睦;木須 隆暢;吉積 正晃;和泉 輝郎;Yasuhiko Ishikawa
  • 通讯作者：
    Yasuhiko Ishikawa
Ge-on-Si photonic devices for photonic-electronic integration on a Si platform
  • DOI：
    10.1587/elex.11.20142008
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
    IEICE Electron. Express
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Y. Ishikawa;S. Saito
  • 通讯作者：
    Y. Ishikawa;S. Saito
フォトルミネセンス測定によるGe微細梁構造のバンドギャップ評価
通过光致发光测量评估Ge微束结构的带隙
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    海和達史;石川靖彦;和田一実
  • 通讯作者：
    和田一実
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    2023
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    $ 12.23万
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    $ 12.23万
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    22KF0053
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 12.23万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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