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Longer-wavelength operation of germanium-on-silicon light-emission and photodetection devices using lattice strain control

Longer-wavelength operation of germanium-on-silicon light-emission and photodetection devices using lattice strain control
使用晶格应变控制的硅基锗发光和光电检测装置的较长波长操作
批准号：
24360133
负责人：
ISHIKAWA Yasuhiko
金额：
$12.23万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360133/
关键词：
半導体物性光物性MBE、エピタキシャル光源技術電子・電気材料

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Si Photonics for Sensing Applications
用于传感应用的硅光子学
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [津崎翔伍, 齊藤一幸, 高橋応明, 伊藤公一, 橋口裕樹,武井宗久,小瀬村大亮,小椋厚志, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者： Yasuhiko Ishikawa
An Increased Red Shift in Near-infrared Light Emission from Ge Microbeam Strictures on Si Induced by an Externally Applied Uniaxial Stress
外部施加的单轴应力引起硅上 Ge 微束结构的近红外光发射红移增加
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Tatsuji Kaiwa, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者： Yasuhiko Ishikawa
Silicon/Germanium-Based Photonics for Information Technology and Sensing
用于信息技术和传感的硅/锗基光子学
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [西浦 陽平, 上津原 大, 東川 甲平, 井上 昌睦, 木須 隆暢, 吉積 正晃, 和泉 輝郎, Yasuhiko Ishikawa]
通讯作者： Yasuhiko Ishikawa
Ge-on-Si photonic devices for photonic-electronic integration on a Si platform
DOI： 10.1587/elex.11.20142008
发表时间： 2014
期刊： IEICE Electron. Express
影响因子： --
作者： [Y. Ishikawa;S. Saito]
通讯作者： Y. Ishikawa;S. Saito
共 9 条
    Formation of dislocation-free germanium on strain-induced silicon substrate
    • 批准号：
      23656208
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      ISHIKAWA Yasuhiko
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of light emitting devices in 1. 5μm range using germanium epitaxial layers on silicon
    • 批准号：
      21360163
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.73万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      ISHIKAWA Yasuhiko
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices
    • 批准号：
      19360138
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.9万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      ISHIKAWA Yasuhiko
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Selective area formation and optical device application of Si islands by thermal agglomeration of SOI layers
    • 批准号：
      13650011
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.11万
    • 财政年份：
      2001
    • 负责人：
      ISHIKAWA Yasuhiko
    • 依托单位：
      Shizuoka University
    海外基金