Development of light emitting devices in 1. 5μm range using germanium epitaxial layers on silicon

使用硅上的锗外延层开发 1.5μm 范围内的发光器件

• 批准号: 21360163
• 负责人: ISHIKAWA Yasuhiko
• 金额: $ 11.73万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360163/
• 关键词: シリコンフォトニクス; ゲルマニウム; 発光; MBE、エピタキシャル; 半導体物性; 光物性; 光源技術; 微小共振器

Using Ge epitaxial layers on Si substrate, light-emitting devices were studied in the 1. 55μm range by a current injection. Light emission was observed in the 1. 55μm range due to the direct transition induced by a current injection into Ge pin diodes on Si. In order to increase the efficiency of light emission, it should be important to realize an injection of electrons into the conduction band at theΓvalley of Ge, followed by the recombination with holes in the valence band. A structure of n-GaAs/i-Ge/p-Si was investigated, where GaAs with the conduction band minimum at theΓvalley can be used for the electron injection.

利用硅衬底上的锗外延层，研究了发光器件。55μm范围内的电流注入。在1. 55μm的范围内，由于直接跃迁引起的电流注入到硅上的Ge pin二极管。为了提高发光效率，重要的是实现电子在Ge的Γ谷处注入到导带中，随后与价带中的空穴复合。研究了n-GaAs/i-Ge/p-Si结构，其中GaAs的导带底位于Γ谷，可用于电子注入。

项目成果

Strained Ge-on-Si beam for tunablemid-infrared light source

用于可调谐中红外光源的应变硅基Ge光束

• 发表时间: 2010
• 作者: Ryota Suzuki;Kohei Yoshimoto;Laurent Decosterd;Yasuhiko Ishikawa;and Kazumi Wada
• 通讯作者: and Kazumi Wada

Germanium for silicon photonics

• DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.062
• 发表时间: 2010-01-01
• 期刊: THIN SOLID FILMS
• 影响因子: 2.1
• 作者: Ishikawa, Yasuhiko;Wada, Kazumi
• 通讯作者: Wada, Kazumi

Ge Photodetectors in Silicon Photonics

硅光子学中的 Ge 光电探测器

• 发表时间: 2009
• 作者: Yasuhiko Ishikawa;Jiro Osaka;Kazumi Wade
• 通讯作者: Kazumi Wade

シリコン・ゲルマニウムフォトニクス

硅锗光子学

• 发表时间: 2011
• 期刊: Optronics
• 作者: 田中康貴;小峰啓史;杉田龍二;石川靖彦
• 通讯作者: 石川靖彦

Geを利用したシリコンフォトニクス用発光デバイス

使用Ge的硅光子学发光器件

• 发表时间: 2011
• 作者: 高田浩史;奥山祥孝;宮田祐輔;吉村武;藤村紀文;井上知也;石川靖彦
• 通讯作者: 石川靖彦