课题基金 / 基金详情

Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices

Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices
掺铒硅量子阱发光器件的研制
批准号：
19360138
负责人：
ISHIKAWA Yasuhiko
金额：
$11.9万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360138/
关键词：
薄膜・量子構造量子井戸量子閉じ込め光物性光源技術MBE、エピタキシャル

项目摘要

项目成果

ISHIKAWA Yasuhiko的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
熱酸化を用いたSi 量子井戸とエルビウム添加
使用热氧化的硅量子阱和铒添加
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [大崎龍介, 石川靖彦, 山下善文, 上浦洋一, 和田一実]
通讯作者： 和田一実
シリコンフォトニクスと高速光デバイス
硅光子学和高速光学器件
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [石川靖彦, 和田一実]
通讯作者： 和田一実
熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加
使用热氧化的硅量子阱和铒添加
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： 電子情報通信学会技術研究報告 OPE2008-138
影响因子： --
作者： [大崎龍介, 石川靖彦, 山下善文, 上浦洋一, 和田一実]
通讯作者： 和田一実
シリコンフォトニクスとゲルマニウム受光デバイス
硅光子学和锗光电探测器器件
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [石川靖彦, 和田一実]
通讯作者： 和田一実
Longer-wavelength operation of germanium-on-silicon light-emission and photodetection devices using lattice strain control
  • 批准号：
    24360133
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.23万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Formation of dislocation-free germanium on strain-induced silicon substrate
  • 批准号：
    23656208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Development of light emitting devices in 1. 5μm range using germanium epitaxial layers on silicon
  • 批准号：
    21360163
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.73万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
Selective area formation and optical device application of Si islands by thermal agglomeration of SOI layers
  • 批准号：
    13650011
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    ISHIKAWA Yasuhiko
  • 依托单位：
    Shizuoka University
海外基金