Development of Er-doped Si Quantum Well Light Emitting Devices

掺铒硅量子阱发光器件的研制

• 批准号: 19360138
• 负责人: ISHIKAWA Yasuhiko
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19360138/
• 关键词: 薄膜・量子構造; 量子井戸; 量子閉じ込め; 光物性; 光源技術; MBE、エピタキシャル

室温動作するSi 系1.5μm 帯発光素子実現に向け、Er をドープしたSi 量子井戸を作製し、発光特性評価を行った。検討した2 種類の方法のうち、SiO2 上へのEr ドープSi 成長を利用する方法により、多結晶ではあるがEr ドープSi 量子井戸の作製に成功した。フォトルミネセンス測定の結果、Er の内殻遷移による1.54μm の室温発光を得ることができた。Si の量子井戸化により温度消光が低減されるという本研究提案が実証できた可能性がある。

Si quantum wells with room temperature operation at 1.5μm wavelength were fabricated and evaluated. Two kinds of methods were discussed. The method of Er ~(2 +) Si growth on SiO2 was successfully used to fabricate Er ~(2 +) Si quantum wells. The results of the measurement of Er in the inner shell are as follows: 1. 54 μm and room temperature emission is obtained. This study proposes to demonstrate the possibility of reducing temperature extinction in Si quantum well.

项目成果

熱酸化を用いたSi 量子井戸とエルビウム添加

使用热氧化的硅量子阱和铒添加

• 发表时间: 2008
• 作者: 大崎龍介;石川靖彦;山下善文;上浦洋一;和田一実
• 通讯作者: 和田一実

シリコンフォトニクスと高速光デバイス

硅光子学和高速光学器件

• 发表时间: 2007
• 作者: 石川靖彦;和田一実
• 通讯作者: 和田一実

熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加

使用热氧化的硅量子阱和铒添加

• 发表时间: 2008
• 期刊: 電子情報通信学会技術研究報告 OPE2008-138
• 作者: 大崎龍介;石川靖彦;山下善文;上浦洋一;和田一実
• 通讯作者: 和田一実

シリコンフォトニクスとゲルマニウム受光デバイス

硅光子学和锗光电探测器器件

• 发表时间: 2007
• 作者: 石川靖彦;和田一実
• 通讯作者: 和田一実

Si 上Ge 受光素子

硅基锗光电探测器

• 发表时间: 2008
• 作者: 石川靖彦;和田一実
• 通讯作者: 和田一実