Study on MOCVD growth of InN-based semiconductors using NH3 decomposition catalysts

利用NH3分解催化剂MOCVD生长InN基半导体的研究

• 批准号: 24560370
• 负责人: YAMAMOTO Akio
• 金额: $ 3.24万
• 依托单位: University of Fukui
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24560370/
• 关键词: 窒化インジウム; アンモニア; MOCVD; 触媒; アンモニア分解触媒; MOVPE成長; 窒化物半導体; ＭＯＣＶＤ

项目成果

A Comparative Study on Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InGaN with Intermediate In Compositions Grown on GaN/Sapphire Template and AlN/Si(111) Substrate

GaN/蓝宝石模板与AlN/Si(111)衬底上生长的金属有机气相外延InGaN与中间In成分的对比研究

• DOI: 10.7567/jjap.52.08jb19
• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: A. Yamamoto;A. Mihara;Y. Zheng;N. Shigekawa
• 通讯作者: N. Shigekawa

アンモニア分解触媒援用MOVPE法によるInNの低温成長

氨分解催化剂辅助MOVPE法低温生长InN

• 发表时间: 2015
• 作者: M. Itou;Y. Sakurai;M. Brancewicz;M. Nagamine;T. Inoue;S. Chiba;Y. Kayahara;H. Sakurai;馬場 暁，新保一成，加藤景三，金子双男;山本あき勇，児玉和樹，野村裕之，葛原正明
• 通讯作者: 山本あき勇，児玉和樹，野村裕之，葛原正明

Growth of InN by the conventional, ArF excimer laser-assisted, and Pt catalyst-assisted MOCVD methods

采用传统、ArF 准分子激光辅助和 Pt 催化剂辅助 MOCVD 方法生长 InN

• 发表时间: 2012
• 作者: Apichat Pangdam;Jing Yang;Jiabao Li;Kazunari Shinbo;Keizo Kato;Futao Kaneko;Chuchaat Thammacharoen;Minghui Hong;Sanong Ekgasit and Akira Baba;Akio Yamamoto and Ken-ichi Sugita
• 通讯作者: Akio Yamamoto and Ken-ichi Sugita

Catalyst Temperature Dependence of NH3 Decomposition for InN Grown by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

金属有机气相外延生长 InN NH3 分解的催化剂温度依赖性

• DOI: 10.7567/jjap.52.08jd04
• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: K. Sugita;D. Hironaga;A. Mihara;A. Hashimoto;A. Yamamoto
• 通讯作者: A. Yamamoto

Reduction of In incorporation by Si-doping in MOVPE-grown InxGa1-xN (x~0.3)

MOVPE 生长的 InxGa1-xN (x~0.3) 中通过硅掺杂减少 In 的掺入

• 发表时间: 2013
• 作者: A. Mihara;N. Shigekawa;A. Yamamoto
• 通讯作者: A. Yamamoto